[发明专利]一种MOS晶体管的接点电阻的计测方法

说明书

一种MOS晶体管的接点电阻的计测方法，包括下列步骤：提供一MOS晶体管，该MOS晶体管包括：一基底、一栅极、一源极区和一漏极区，以及电连接到该源极区的一源极接点和电连接到该漏极区的一漏极接点；获得一源极接点电阻与一漏极接点电阻之间的一电阻差；获得该源极接点电阻与该漏极接点电阻的一电阻和；根据该电阻和与该电阻差，计算该源极接点电阻与该漏极接点电阻。

相关技术的交叉引用

本公开主张2017/12/07申请的美国临时申请案第62/595,800号及2018/03/05申请的美国正式申请案第15/911,529号的优先权及益处，该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开关于一种金属氧化物半导体(Metal-Oxide-Semiconductor，MOS)晶体管的接点电阻的计测方法，特别是关于一种从MOS晶体管的整体电阻取得接点电阻的计测方法。

背景技术

金属氧化物半导体晶体管具有串联连接的多个电阻源，包括源极接点的电阻、源极区的电阻、漏极区的电阻和漏极接点的电阻。对于评估一集成电路的性能来说。准确地测量源极接点、源极区、漏极区和源极接点的各个电阻值是至关重要的。

随着MOS晶体管栅极长度的缩小以继续追求更好地元件性能和更高地集成度，寄生源极和漏极电阻在MOS晶体管的模型建构和特性中变得十分重要。源极接点和漏极接点产生的寄生源极区电阻和漏极电阻可能会导致驱动电流的下降。因此，在取得集成电路的性能时，准确测量源极接点电阻与漏极接点电阻的是必要的。

上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开实施例提供一种MOS晶体管的接点电阻的计测方法，包括下列步骤：提供一MOS晶体管，该MOS晶体管包括：一基底、一栅极、一源极区和一漏极区，以及电连接到该源极区的一源极接点和电连接到该漏极区的一漏极接点；获得一源极接点电阻和一漏极接点电阻之间的一电阻差；获得该源极接点电阻和该漏极接点电阻的一电阻和；以及根据该源极接点电阻和该漏极接点电阻的该电阻和，与该源极接点电阻和该漏极接点电阻之间的该电阻差，计算该源极接点电阻和该漏极接点电阻。

在本公开实施例中，该计测方法还包括以正向配置操作该MOS晶体管，包括：将基底和源极接点接地；施加一组第一栅极电压到该栅极；以及当施加该组第一栅极电压到该栅极时，测量横跨该栅极和该源极接点的一组电位、横跨该漏极接点和该源极接点的一组电位和从该漏极接点到该源极接点的一组电流。

在本公开实施例中，该计测方法还包括以反向配置操作该MOS晶体管，包括：将基底和漏极接地；施加一组第二栅极电压到该栅极；以及当该组第二栅极电压施加到该栅极时，测量横跨该栅极和该漏极接点的一组电位、横跨该源极接点和该漏极接点的一组电位和从该源极接点到该漏极接点的一组电流。

在本公开实施例中，其中该源极接点电阻和该漏极接点电阻之间的该电阻差，由方程式(1)Vgs＝VgS+RSC*Idsn，和方程式(2)Vgd＝VgD+RDC*Idsi获得，其中Vgs是横跨该栅极和该源极接点的一电位；VgS是横跨该栅极和该源极区的一电位；RSC是该源极接点的该电阻；Idsn是从该漏极接点到该源极接点的该电流；Vgd是横跨该栅极和该漏极接点的一电位；VgD是横跨该栅极和该漏极区的一电位；RDC是该漏极接点的该电阻；Idsi是从该源极接点到该漏极接点的该电流。

在本公开实施例中，该源极接点电阻和该漏极接点电阻之间的该电阻差，是由一双变数方程式获得。