[发明专利]一种高效透氧的ITO靶材摆放-烧结方法

说明书

本发明公开了一种高效透氧的ITO靶材摆放‑烧结方法，步骤如下：1)将ITO粉末成型，得到ITO靶坯，再对ITO靶坯进行干燥；2)将垫片放置在承烧板上，再在垫片上放置一层直径0.5～1mm的瓷球，再将ITO靶坯放置在瓷球上；3)将步骤2)设置好ITO靶坯的承烧板放进烧结炉进行烧结，再进行打磨，得到ITO靶材。本发明可以大大提高ITO靶坯烧结时的透氧率，增加了ITO靶材烧结后的密度，提高了ITO靶材的质量，且烧结后ITO靶材底面不会产生垫片印，不会污染靶材，减少了后加工过程中因磨削而造成的靶材消耗。

技术领域

本发明涉及一种高效透氧的ITO靶材摆放-烧结方法。

背景技术

ITO靶材是一种由氧化铟粉末和氧化锡粉末经过成型、烧结而成的黑灰色陶瓷半导体，是生产ITO薄膜的重要原料。经过多年的发展，目前ITO靶材的制备工艺已经比较成熟，方法多种多样，但是仍然存在烧结不够充分、加工时间长、生产工艺复杂、生产效率低等问题，ITO靶材的密度还有很大的提升空间。

传统的工艺在进行ITO靶材烧结时，ITO靶材的摆放主要分为以下两种方法：1)直接摆放法：将靶坯直接放置在承烧板上，然后一起放进烧结炉中进行烧结，由于靶坯与承烧板相接触的部位几乎不透氧，会导致靶坯烧结不充分，靶材成型效果差，该方法已逐渐被淘汰；2)垫片法：先在靶坯下方垫上垫片，再放置在承烧板上，再一起放进烧结炉中进行烧结，该方法可以在一定程度上提高靶材烧结时的透氧率，但靶材烧结后与垫片相接触的部位会留下大面积的垫片印，靶材的底层受到污染，后续打磨操作的磨削量大，不仅增加了工艺难度和工艺成本，而且还会对靶材质量造成一定影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高效透氧的ITO靶材摆放-烧结方法。

本发明所采取的技术方案是：

一种高效透氧的ITO靶材摆放-烧结方法，步骤如下：

1)将ITO粉末成型，得到ITO靶坯，再对ITO靶坯进行干燥；

2)将垫片放置在承烧板上，再在垫片上放置一层直径0.5～1mm的瓷球，再将ITO靶坯放置在瓷球上；

3)将步骤2)设置好ITO靶坯的承烧板放进烧结炉进行烧结，再进行表面打磨，得到ITO靶材。

步骤1)所述干燥的温度为100～500℃，干燥时间为50～100h。

步骤2)所述瓷球为耐1800℃以上高温的瓷球。

步骤2)所述瓷球为氧化锆球。

步骤2)所述瓷球均匀分布在垫片上。

步骤2)所述垫片的材质为刚玉-莫来石、硅酸钙中的一种。

步骤3)所述烧结的温度为1000～1700℃，烧结时间为20～40h。

本发明的有益效果是：本发明可以大大提高ITO靶坯烧结时的透氧率，增加了ITO靶材烧结后的密度，提高了ITO靶材的质量，且烧结后ITO靶材底面不会产生垫片印，不会污染靶材，减少了后加工过程中因磨削而造成的靶材消耗。

1)本发明在ITO靶坯下面设置一层瓷球后再进行烧结，避免了ITO靶坯和垫片直接接触，且ITO靶坯和瓷球之间的接触面积小，提高了ITO靶坯烧结时的透氧率，烧结效果更好；

2)本发明在ITO靶坯下面设置一层瓷球后再进行烧结，瓷球耐高温性能优异，烧结时不会与ITO靶材发生反应，因此不会对ITO靶材造成污染；

3)本发明在ITO靶坯下面设置一层瓷球后再进行烧结，有利于烧结过程中ITO靶坯内残余应力的释放，可以有效避免ITO靶材出现结构缺陷。

附图说明

图1为本发明的ITO靶坯的摆放示意图。