[发明专利]光电探测器及其制造方法、图像传感器

权利要求书

1.一种光电探测器，其特征在于，包括：

第一基底，所述第一基底中形成有多个像素电路及公共电极接入件，所述公共电极接入件包括多个分立件，每个像素电路侧边至少设置有一个所述分立件，所述第一基底的正面形成有多个第一接线板，所述第一接线板与对应的所述像素电路电性连接；及

第二基底，所述第二基底中形成有多个像素单元及将各所述像素单元相互隔离的隔离墙体，所述隔离墙体包括导电体及位于所述导电体与所述像素单元之间的侧墙，所述第二基底的正面形成有多个第二接线板，所述第二接线板与对应的所述像素单元的第一端极电性连接，所述第二基底的背面形成有透明电极层，每个所述像素单元的第二端极与所述透明电极层电性连接；

其中，所述第二接线板与对应的所述第一接线板接合且电性连接，所述透明电极层通过所述导电体与所述公共电极接入件电性连接，且每个所述像素单元侧壁上的所述隔离墙体中的所述导电体至少与所述像素单元对应的像素电路侧边的一个所述分立件电性连接。

2.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述第一接线板包括第一导电层，或者，所述第一接线板包括第一介质层及位于所述第一介质层中的第一导电焊垫。

3.如权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述第一导电层包括导电胶、导电胶带和金属层中的至少其中之一。

4.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述第二接线板包括第二导电层，或者，所述第二接线板包括第二介质层及位于所述第二介质层中的第二导电焊垫。

5.如权利要求4所述的光电探测器，其特征在于，所述第二导电层包括导电胶、导电胶带和金属层中的至少其中之一。

6.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述第一接线板和所述第二接线板至少其中之一的材质选自金、银、铂金、铜、铝、镍、钴或其任何一种的合金，或者所述第一接线板和所述第二接线板至少其中之一的材质选自导电胶质。

7.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述第二接线板与对应的所述第一接线板贴合连接。

8.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述第二接线板与对应的所述像素单元的第一端极直接连接。

9.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述导电体靠近所述第二基底的背面的端面低于所述第二基底的背面。

10.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述隔离墙体的横截面线宽介于0.1μm～5μm。

11.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述侧墙为单层侧墙，或者多层侧墙。

12.如权利要求11所述的光电探测器，其特征在于，所述多层侧墙包括：第一侧墙及第二侧墙，所述第一侧墙覆盖所述像素单元的侧壁并延伸覆盖所述第二接线板的侧壁，所述第二侧墙覆盖所述第一侧墙并延伸覆盖所述第一接线板的侧壁。

13.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述侧墙的材质选自于半导体氧化物和半导体氮化物中的至少一种，所述导电体的材质选自于铝、铜、钨、钛、钴、镍、银、金、铂金，及其任何一种的合金中的至少一种。

14.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述第二基底的材质选自于硅半导体、锗半导体、碲镉汞、碲锌镉、碲化铟、砷化镓、磷化铟、铝镓砷和镓砷中的至少一种或半导体合金。

15.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述像素单元包括像素基底及形成于所述像素基底中的PN结探测件。