[发明专利]光电探测器及其制造方法、图像传感器

说明书

本发明提供了一种光电探测器及其制造方法、图像传感器，光电探测器包括：第一基底中形成有多个像素电路及公共电极接入件，第一基底的正面形成有多个第一接线板，第一接线板与对应的像素电路电性连接，第二基底中形成有多个像素单元及将各像素单元相互隔离的隔离墙体，隔离墙体包括导电体及位于导电体与像素单元之间的侧墙，第二基底的正面形成有多个第二接线板，第二接线板与对应的像素单元的第一端极对应连接，第二基底的背面形成有透明电极层，每个像素单元的第二端极与透明电极层连接，第二接线板与对应的第一接线板对应接合且电性连接，透明电极层通过导电体与公共电极接入件电性连接，可以使得像素单元的尺寸能够极大的降低。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种光电探测器及其制造方法、图像传感器。

背景技术

基于光电子效应的光电探测及成像器件，是基于所接收外部辐射引起的被照射半导体光电材料产生光电子信号，通过信号放大和处理获得探测信号或图像。这种光电探测及成像器件，在工业、汽车以及国民经济的各个领域有广泛用途。在近红外波段，这种光电探测及成像器件主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段(850纳米到12微米波长)主要用于红外成像、红外遥感、红外导引等方面。

请参考图1，其为现有技术的红外光电探测及成像器件的剖面示意图。如图1所示，现有技术的光电探测及成像器件100主要包括具有通常由硅基CMOS构成像素电路111的第一基底110和具有基于化合物半导体的光电感应像素单元121的第二基底120，所述第一基底110和所述第二基底120之间通过微焊点130(包括与所述像素电路连接的第一微焊点131和与所述像素单元121连接的第二微焊点132)焊接以实现所述像素电路111和所述像素单元121之间的电性连接，构成异质半导体微系统集成的光电探测及成像器件系统。

由此所形成的光电探测及成像器件100受制于微焊点130焊接工艺技术瓶颈，像素单元121的尺寸非常大。此外，由于各像素单元121上微焊点130间的差异会体现在像素单元121的接触和导通电阻上，也容易引发像素单元121间获取信号的差异和以此造成的固定模式噪声(Fixed pattern noise)。同时，每当像素单元的尺寸缩小，基于化合物半导体的光电感应像素单元121所产生的感应光电子漂移而形成像素单元之间的源信号干扰也越来越严重。

根据目前主流的光电探测及成像器件的SPWaP3标准，S即size，是非常重要的指标，如何减小光电探测及成像器件的尺寸，一直以来困扰着本领域技术人员。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光电探测器及其制造方法、图像传感器，以解决现有技术中的光电探测及成像器件受制于微焊点焊接工艺技术瓶颈而像素单元的尺寸难以减小的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种光电探测器，包括：

第一基底，所述第一基底中形成有多个像素电路及公共电极接入件，所述第一基底的正面形成有多个第一接线板，所述第一接线板与对应的所述像素电路电性连接；及

第二基底，所述第二基底中形成有多个像素单元及将各所述像素单元相互隔离的隔离墙体，所述隔离墙体包括导电体及位于所述导电体与所述像素单元之间的侧墙，所述第二基底的正面形成有多个第二接线板，所述第二接线板与对应的所述像素单元的第一端极电性连接，所述第二基底的背面形成有透明电极层，每个所述像素单元的第二端极与所述透明电极层电性连接；

其中，所述第二接线板与对应的所述第一接线板接合且电性连接，所述透明电极层通过所述导电体与所述公共电极接入件电性连接。

可选的，在所述的光电探测器中，所述第一接线板包括第一导电层，或者，所述第一接线板包括第一介质层及位于所述第一介质层中的第一导电焊垫。

可选的，在所述的光电探测器中，所述第一导电层包括导电胶、导电胶带和金属层中的至少其中之一。