[发明专利]一种并联微LED阵列及其制作方法

权利要求书

1.一种并联微LED阵列，其特征在于，所述并联微LED阵列包括外延层、多个电极以及基板，所述基板、所述多个电极以及所述外延层逐层连接，所述多个电极包括多个P电极与多个N电极，所述外延层包括P型层与N型层，所述多个P电极共用P型层，所述多个N电极共N型层，以形成多个并联的LED。

2.如权利要求1所述的并联微LED阵列，其特征在于，所述并联微LED阵列包括倒装式并联微LED阵列与垂直式并联微LED阵列。

3.如权利要求2所述的并联微LED阵列，其特征在于，所述垂直式并联微LED阵列的外延层还包括量子阱层，所述垂直式并联微LED阵列还包括钝化层，所述基板包括导电基板，所述基板、所述多个N电极、所述N型层、所述量子阱层、所述P型层、所述钝化层以及所述多个P电极逐层连接。

4.如权利要求2所述的并联微LED阵列，其特征在于，所述倒装式并联微LED阵列的外延层还包括量子阱层，所述倒装式并联微LED阵列还包括钝化层与粘接层，所述基板、所述粘接层、所述P电极、所述钝化层、所述P型层、所述量子阱层、所述N型层以及所述N电极逐层连接。

5.如权利要求3或4所述的并联微LED阵列，其特征在于，所述量子阱层的厚度包括100nm-300nm。

6.一种并联微LED阵列制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上生长外延层，其中，所述外延层包括P型层与N型层；

利用掩膜在所述外延层上刻蚀出微发光区域；

依据所述微发光区域生长共用P型层的多个P电极；

制作共用N型层的多个N电极，以形成多个并联的LED。

7.如权利要求6所述的并联微LED阵列制作方法，其特征在于，在所述利用掩膜在所述外延层上刻蚀出微发光区域的步骤之后，所述并联微LED阵列制作方法还包括：

在芯片表面、侧壁钝化保护，以形成钝化层；

对所述钝化层进行光刻，去除部分钝化层以开出P电极区域，进而生长P电极。

8.如权利要求6所述的并联微LED阵列制作方法，其特征在于，在所述利用掩膜在所述外延层上刻蚀出微发光区域的步骤之后，所述并联微LED阵列制作方法还包括：

在芯片表面、侧壁钝化保护，以形成钝化层；

对所述钝化层进行光刻，去除部分钝化层以开出P电极区域，进而生长P电极反射镜；

依据所述P电极反射镜制备金属阻挡层；

制备金属键合层，将所述外延层键合于一基板上，其中，所述基板包括导电基板；

去除衬底；

制备基板电极。

9.如权利要求6所述的并联微LED阵列制作方法，其特征在于，所述在衬底上生长外延层的步骤包括：

在所述衬底上依次生长缓冲层、预应力层、n型层、量子阱层，电子阻挡层以及p型层。

10.一种并联微LED阵列制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上生长外延层，其中，所述外延层包括P型层与N型层；

利用掩膜在所述外延层上刻蚀去除部分区域的P型层，以露出P型层；

同时生长P电极与N电极；

制备金属键合层；

将所述外延层焊接于基板上。