[发明专利]一种并联微LED阵列及其制作方法

说明书

本发明实施例提出一种并联微LED阵列及其制作方法，涉及LED技术领域。该并联微LED阵列包括外延层、多个电极以及基板，基板、多个电极以及外延层逐层连接，多个电极包括多个P电极与多个N电极，外延层包括P型层与N型层，多个P电极共用P型层，多个N电极共N型层，以形成多个并联的LED。本发明实施例提供的并联微LED阵列及其制作方法具有阵列之间的连线简单、制作工艺更加简单且寄生电容更小优点。

技术领域

本发明涉及LED技术领域，具体而言，涉及一种并联微LED阵列及其制作方法。

背景技术

目前，随着LED照明系统的普及，利用LED作为光源的可见光通信技术随着LED的发展而高速发展。然而制约可见光通信的瓶颈是LED有限的调制带宽。相比传统大尺寸LED芯片，以微LED作为光源，具有电容小，响应速度快等优点，能够大幅度提高可见光通信调制宽带。另外，微LED的光源尺寸小，能够多通道并行通讯，更有利于可见光通信系统的微型化、集成化和便携化。新型微LED器件在可见光通信系统中的应用有巨大的潜力，成为可见光通信研究的一个重要方面。

影响LED调制带宽的主要因素有：驱动电流大小、发光波长、器件的RC时间常数以及载流子复合寿命。近年来对微LED技术提高可见光通信速率的研究主要关注驱动电流、发光波长、芯片尺寸等对调制带宽的影响，且这些只针对单个微LED而言。多颗微LED组成的阵列具有更高的发光效率，其驱动模式主要是主动寻址微LED阵列，另有少量报道的线性级联阵列，但不足之处是连线庞杂，制备工艺复杂，寄生电阻电容大。

有鉴于此，如何改善上述问题，是本领域技术人员关注的重点。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种并联微LED阵列，以改善现有技术中多颗微LED组成的阵列连线庞杂，制备工艺复杂，寄生电阻电容大的问题。

本发明的另一目的在于提供一种并联微LED阵列制作方法，以改善现有技术中多颗微LED组成的阵列连线庞杂，制备工艺复杂，寄生电阻电容大的问题。

为了实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本发明实施例提供了一种并联微LED阵列，所述并联微LED阵列包括外延层、多个电极以及基板，所述基板、所述多个电极以及所述外延层逐层连接，所述多个电极包括多个P电极与多个N电极，所述外延层包括P型层与N型层，所述多个P电极共用P型层，所述多个N电极共N型层，以形成多个并联的LED。

第二方面，本发明实施例还提供了一种并联微LED阵列制作方法，通过在衬底上生长外延层，然后利用掩膜在所述外延层上刻蚀出微发光区域；并依据所述微发光区域生长共用P型层的多个P电极；最后制作共用N型层的多个N电极，以形成多个并联的LED。

第三方面，本发明实施例还提供了一种并联微LED阵列制作方法，通过在衬底上生长外延层，然后利用掩膜在所述外延层上刻蚀去除部分区域的P型层，以露出P型层；并同时生长P电极与N电极，再制备金属键合层；最后将所述外延层焊接于基板上。

相对现有技术，本发明具有以下有益效果：

本发明提供的了一种并联微LED阵列及其制作方法，该并联微LED阵列包括外延层、多个电极以及基板，基板、多个电极以及外延层逐层连接，多个电极包括多个P电极与多个N电极，外延层包括P型层与N型层，多个P电极共用P型层，多个N电极共N型层，以形成多个并联的LED。由于本发明提供的并联微LED阵列的多个P电极共用P型层，多个N电极共N型层，所以阵列之间的连线简单，并且无需制作多个LED，制作工艺更加简单，并且寄生电容更小。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明