[发明专利]一种压电陶瓷压电微位移测量方法在审
申请号: | 201810660010.6 | 申请日: | 2018-06-25 |
公开(公告)号: | CN108981577A | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 纪飞飞;郑爱权;王洪磊;许红伍 | 申请(专利权)人: | 苏州健雄职业技术学院 |
主分类号: | G01B11/02 | 分类号: | G01B11/02 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 刘小峰 |
地址: | 215411 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压电陶瓷 降压状态 升压状态 显微成像装置 微位移测量 大倍率 图像 压电 测量 测量成本 测量效率 迟滞特性 静止放置 图像信息 位移距离 位移量 迟滞 相减 验证 直观 采集 镜头 节约 展示 | ||
本发明公开了一种压电陶瓷压电微位移测量方法,方法包括如下步骤:1)采用静态大倍率显微成像装置,将压电陶瓷静止放置在镜头下方;2)通过静态大倍率显微成像装置采集压电陶瓷的初始状态、升压状态和降压状态下的图像信息;3)通过初始状态下图像分别与升压状态图像和降压状态图像进行对比,测量其位移距离,通过将升压状态位移与降压状态位移相减得出压电陶瓷迟滞效应位移量。采用本方法能够快捷方便的进行测量,极大的节约了测量成本,提高了测量效率,并且可以直观的验证或展示压电陶瓷迟滞特性效果。
技术领域
本发明涉及一种往复运动微位移精密测量的方法,特别涉及一种压电陶瓷压电微位移测量方法。
背景技术
压电陶瓷是一种能够实现机械能与电能相互转化的信息功能材料,被广泛的应用于精密测量、医疗器械、精密控制、微制动等领域。压电陶瓷晶体结构能够短时间储存电能,充放电过程存在着迟滞特性。
目前压电陶瓷由于其制备工艺及成分比例差异所产生的最大行程不同,但其位移量均属于微小尺度,甚至纳米级尺度的变化,而对不同压电陶瓷的压电位移测量是评价压电陶瓷性能的重要手段之一。目前能够实现纳米级精度测量的设备手段较少,主要有激光干涉仪、扫描隧道显微镜、原子力显微镜、激光共聚焦显微镜等。但压电陶瓷压电位移测量需要在较高电压接通工况下进行,并且随着电压变化而变化。此外,大部分压电陶瓷产品尺寸较小,测量设备安装困难。传统的测量方式无法满足微小结构压电陶瓷块的纳米级精度测量。
发明内容
针对以上现有技术存在的缺陷,本发明的主要目的在于克服现有技术的不足之处,公开了一种压电陶瓷压电微位移测量方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
1)采用静态大倍率显微成像装置,将压电陶瓷静止放置在镜头下方;
2)通过所述静态大倍率显微成像装置采集压电陶瓷的初始状态、升压状态和降压状态下的图像信息;
3)通过初始状态下图像分别与升压状态图像和降压状态图像进行对比,测量其位移距离,通过将升压状态位移与降压状态位移相减得出压电陶瓷迟滞效应位移量。
进一步地,定义标准图像为压电陶瓷为未通电时的图像,定义升压图像为压电陶瓷加压至设定电压时的图像,定义降压图像为压电陶瓷升压后再降压至所述设定电压时的图像;对压电陶瓷进行n等分标记,定义xi为压电陶瓷等分标记在标准图像中的位置,定义x′i为压电陶瓷等分标记在升压图像中的位置,定义x″i为压电陶瓷等分标记在升压图像中的位置;所述压电陶瓷迟滞效应位移量满足关系式:
其中ΔXc表示压电陶瓷迟滞效应位移量,ΔXUI表示设定电压下对应压电陶瓷升压的微位移,ΔXUO表示设定电压下对应压电陶瓷降压的微位移,k表示静态大倍率显微成像装置对压电陶瓷的放大倍率。
进一步地,所述静态大倍率显微成像装置为高清静态成像设备。
进一步地,所述高清静态成像设备为激光共聚焦显微镜。
本发明取得的有益效果:
采用静态大倍率显微成像装置,通过二次位移差方式实现微小装置纳米级微位移宏观展示和测量。测量设备简单,测量状态稳定,有效的解决了目前通用高精度测量设备无法在微小压电陶瓷块上安装定位的问题,同时避免了压电陶瓷高压工况下对测量设备产生的干扰和操作时危险性大的问题。为高精密测量,尤其是压电陶瓷压电微位移测量提供了一种便捷的、理想的测量方法,极大的节约了测量成本,提高了测量效率,并且可以直观的验证或展示压电陶瓷迟滞特性效果。
附图说明
图1为标记点在各状态下的位置对照示意图;
具体实施方式
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