[发明专利]产酸剂和含有其的光刻胶

说明书

产酸剂和含有其的光刻胶。本发明提供了产酸剂化合物，其包含氧代‑1,3‑二氧戊环部分和/或氧代‑1,3‑二噁烷部分。所述产酸剂特别用作光刻胶组合物的组份。

本发明专利申请是申请号为201410212479.5，申请日为2014年3月31日，名称为“产酸剂和含有其的光刻胶”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及包含氧代(oxo)-二氧戊环(dioxlan)和/或氧代-二噁烷(dioxane)部分的新型产酸剂。

背景技术

光刻胶是能够将图像转移到基底上的光敏膜。它们形成负像或正像。在基底上涂上光刻胶之后，涂层通过图案化的光掩摸对激活能量源曝光，例如紫外线，在光刻胶涂层中形成潜像。光掩摸具有对活化辐射不透明和透明区域，这种区域能够限定希望转到下层基底上的图像。使光刻胶层中的潜像显影提供立体像。

对于许多现有的商业应用来说，已知的光刻胶可以提供足够的分辨率和尺寸。然而，对于许多其它应用，需要能够提供亚微米尺寸的高分辨图像的新型光刻胶。

已经进行了各种尝试来改变光刻胶组合物的组成，从而提高官能性。尤其是，已经报道了许多用于光刻胶组合物的光敏化合物。参见US 20070224540和EP 1906241。还参见US 2012/0065291。还使用了短波成像，例如，193nm。还使用了远紫外线(EUV)和电子束成像技术。参见美国专利US 7,459,260。EUV使用短波长辐射，典型地在1nm至40nm之间，经常使用13.5nm辐射。

EUV光刻胶显影仍然是EUV光刻(EUVL)技术实施的挑战性问题。要求材料显影可以提供高分辨的细微特征，包括低线宽粗糙度(LWR)，以及得到晶片产量所需要的足够灵敏度。

发明内容

现在我们已经发现了新型产酸剂和包含一或多种这样产酸剂的光刻胶组合物。

本发明提供了产酸剂，其包含氧代-二氧戊环部分(例如，氧代-1,3-二氧戊环基团)和/或氧代-二噁烷(例如，氧代-1,3-二噁烷基团)部分。

特别优选的产酸剂可以包含下列式I或II的部分∶

其中在每个式I和II中∶

R²、R³、R⁴和R⁵各自独立地是氢或非氢取代基，例如，任选取代的烷基、任选取代的杂烷基、任选取代的脂环基、任选取代的杂脂环基、任选取代的碳环芳基或任选取代的杂芳基，优选，其中R²和R³中的至少一个或两个是非氢取代基；

R²和R³任选可以结合在一起形成环，例如，任选可以具有1、2或3个N、O或S环原子的任选取代的C_3-30脂环基；

R⁴和R⁵任选可以结合在一起形成环，例如，任选可以具有1、2或3个N、O或S环原子的任选取代的C_3-30脂环基；

波浪线表示连接所描述部分与更大的产酸剂物质的共价键；

R⁴和/或R⁵任选可以与共价键一起形成环，例如，任选可以具有1、2或3个N、O或S环原子的任选取代的C_3-30脂环基；

n是0或1。在某些优选化合物中，R²、R³、R⁴和R⁵没有一起结合形成环。