[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

滤色器，位于衬底上；以及

有机光电二极管，设置在所述滤色器上，

其中所述有机光电二极管包括：

电极绝缘层，在所述衬底上具有凹槽区；

第一电极，位于所述滤色器上，所述第一电极填充所述电极绝缘层的所述凹槽区；

第二电极，位于所述第一电极上；以及

有机光电转换层，夹置在所述第一电极与所述第二电极之间，

其中所述第一电极包括从所述电极绝缘层的所述凹槽区的侧表面以第一角度延伸的接缝。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，

其中所述第一电极跨越所述接缝不连续。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，

其中所述衬底包括：

光电二极管，设置在所述滤色器之下；以及

存储节点区，电连接到所述光电二极管。

4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

上部绝缘层，环绕所述滤色器的侧表面；以及

上部接触塞，穿透所述上部绝缘层以接触所述第一电极。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

接触通孔，穿透所述衬底以接触所述上部接触塞；以及

下部接触塞，突出到所述接触通孔中。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

层间绝缘层，具有互连层，

其中所述下部接触塞通过所述层间绝缘层电连接到所述存储节点区。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，

其中所述第一电极的所述接缝从所述电极绝缘层的所述凹槽区的隅角朝所述第一电极的上表面延伸。

8.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，

其中所述接缝连接到所述第一电极的上表面。

9.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，

其中所述接缝连接到所述电极绝缘层的所述凹槽区的所述隅角。

10.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，

其中所述第一电极还包括被所述接缝划分开的第一区与第二区，且

其中所述第一区设置在所述接缝与所述电极绝缘层的所述凹槽区的下表面之间，且

其中所述第二区设置在所述接缝与所述电极绝缘层的所述凹槽区的侧表面之间。

11.根据权利要求10所述的图像传感器，其特征在于，

其中所述第一区及所述第二区是由相同的材料形成。

12.根据权利要求11所述的图像传感器，其特征在于，

其中所述第一区包含多晶相。

13.根据权利要求12所述的图像传感器，其特征在于，

其中所述第一区还包括非晶相。

14.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，

其中所述第一电极还包括被所述接缝划分开的第一区与第二区，且

其中所述第一区具有朝所述有机光电转换层减小的宽度，且

其中所述第二区具有朝所述有机光电转换层增大的宽度。

15.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

顶盖绝缘层，夹置在所述滤色器与所述第一电极之间。

16.根据权利要求15所述的图像传感器，其特征在于，

其中所述电极绝缘层的所述凹槽区暴露出所述顶盖绝缘层。