[发明专利]图像传感器

说明书

本申请提出一种图像传感器。滤色器设置在衬底上。有机光电二极管设置在所述滤色器上。所述有机光电二极管包括：电极绝缘层，在所述衬底上具有凹槽区；第一电极，位于所述滤色器上，所述第一电极填充所述电极绝缘层的所述凹槽区；第二电极，位于所述第一电极上；以及有机光电转换层，夹置在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一电极包括相对于所述电极绝缘层的所述凹槽区的侧表面以第一角度延伸的接缝。

[相关申请的交叉参考]

本申请主张在2017年9月25日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2017-0123233号的优先权，所述韩国专利申请的公开内容全文并入本申请供参考。

技术领域

本发明概念涉及一种图像传感器以及一种制作所述图像传感器的方法。

背景技术

用于拍摄光学图像并将所述光学图像转换成电信号的图像传感器被广泛地用于在汽车、安全装置及机器人中安装的照相机以及一般消费者电子装置(例如，数字照相机、移动电话照相机及便携式摄录相机)中。需要使这种图像传感器的尺寸缩减且具有高分辨率，且因此正在进行各种研究来满足这些需求。

发明内容

根据本发明概念的示例性实施例，提供一种如下的图像传感器。滤色器设置在衬底上。有机光电二极管设置在所述滤色器上。所述有机光电二极管包括：电极绝缘层，在所述衬底上具有凹槽区；第一电极，位于所述滤色器上，所述第一电极填充所述电极绝缘层的所述凹槽区；第二电极，位于所述第一电极上；以及有机光电转换层，夹置在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一电极包括从所述电极绝缘层的所述凹槽区的侧表面以第一角度延伸的接缝。

根据本发明概念的示例性实施例，提供一种如下的图像传感器。第一电极设置在衬底上。电极绝缘层环绕所述第一电极的侧表面。第二电极设置在所述第一电极上。有机光电转换层夹置在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一电极包括第一区、第二区及接缝，所述接缝将所述第一电极划分成所述第一区与所述第二区。所述第一区及所述第二区跨越所述接缝不连续。所述第一区具有朝所述有机光电转换层减小的宽度，且所述第二区具有朝所述有机光电转换层增大的宽度。

根据本发明概念的示例性实施例，提供一种如下的制作图像传感器的方法。在衬底上形成滤色器。在所述滤色器上形成顶盖绝缘层。在所述顶盖绝缘层上形成具有凹槽区的电极绝缘层。所述凹槽区具有相对于所述凹槽区的下表面以第一角度(θ_R)倾斜的第一侧表面。在所述电极绝缘层的所述凹槽区中形成具有接缝的第一初步电极。所述接缝相对于所述凹槽区的所述下表面以第二角度(θ_GB)在所述凹槽区中延伸。将所述第一初步电极平坦化以形成具有所述接缝的第一电极。在所述第一电极上形成有机光电转换层。在所述有机光电转换层上形成第二电极。

根据本发明概念的示例性实施例，提供一种如下的制作图像传感器的方法。在衬底上形成具有凹槽区的电极绝缘层。所述凹槽区具有下表面及第一侧表面，所述第一侧表面相对于所述凹槽区的所述下表面以第一角度(θ_R)倾斜。在所述电极绝缘层的所述凹槽区中生长具有接缝的第一初步电极。所述接缝相对于所述凹槽区的所述下表面以第二角度(θ_GB)在所述凹槽区中延伸。在第一方向上在所述凹槽区的所述下表面上生长所述第一初步电极的第一区。在与所述第一方向交叉的第二方向上在所述凹槽区的所述第一侧表面上生长所述第一初步电极的第二区。在其中所述第一区与所述第二区在形成所述第一初步电极时彼此会合的区处形成所述接缝。所述第一初步电极包含ITO、ZnO、SnO₂、TiO₂、ZITO、IZO、GIO、ZTO、FTO、AZO或GZO。

附图说明

通过参照附图详细阐述本发明概念的示例性实施例，本发明概念的这些及其他特征将变得更显而易见，在附图中：

图1是根据本发明概念示例性实施例的图像传感器的示意性方块图。