[发明专利]一种显影装置、曝光显影设备及显影方法有效
申请号: | 201810662507.1 | 申请日: | 2018-06-25 |
公开(公告)号: | CN108776424B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 刘宁;闫梁臣;周斌;刘军;程磊磊;李广耀 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F7/30 | 分类号: | G03F7/30 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显影 装置 曝光 设备 方法 | ||
本发明公开了一种显影装置、曝光显影设备及显影方法,涉及显影装置技术领域,为解决现有显影装置在对基板上的光刻胶显影处理后,光刻胶孔的坡度角较大的问题而发明。该显影装置,包括基台和显影液喷嘴,所述基台具有基板放置面,所述显影液喷嘴与所述基板放置面相对设置,还包括与所述基板放置面相对设置的微波发射单元,所述微波发射单元的微波发射口朝向所述基板放置面设置,并且沿平行于所述基板放置面的方向,所述微波发射单元与所述显影液喷嘴错开设置。本发明可用于显影处理。
技术领域
本发明涉及显影装置技术领域,尤其涉及一种显影装置、曝光显影设备及显影方法。
背景技术
在显示面板行业中,电路设计一般为4~12层图案的叠加,在这些多层的电路设计中,过孔是必不可少的一部分,它起到连接电路、承上启下的作用;例如在薄膜晶体管制造过程中,为了实现不同膜层之间的搭接,经常采用干法刻蚀的方法在绝缘膜层上面形成过孔(Via Hole),比如S/D(源极/漏极)与Active层通过ESL(Etch Stop Layer;刻蚀阻挡层)孔进行搭接、S/D与Gate(栅极)通过CNT(全称:Contact;中文释义:连接)孔进行搭接、ITO(氧化铟锡)显示电极与S/D通过PVX(钝化层)孔进行搭接。
其中,过孔的坡度角对于膜层之间的搭接效果有很大影响,在一定范围内坡度角越小越有利于搭接。但是由于干法刻蚀是各向异性刻蚀,通常会使得过孔的坡度角很大,不利于后续膜层之间的搭接,甚至会出现断线等不良。例如图1所示,当形成过孔03的坡度角α很大时,膜层01与膜层02之间的搭接非常不利。因此,如何改善膜层过孔03的坡度角具有非常重要的意义。
一般情况下,在对膜层的过孔进行刻蚀之前,需要经过光刻胶的涂布、曝光和显影等过程,其中,曝光显影后形成的光刻胶(PR胶)孔的坡度角对最终干刻形成的膜层过孔坡度角起决定性作用,光刻胶孔的坡度角越小,那么,如图2所示,光刻胶孔06靠近孔边缘处的光刻胶就越薄,在对膜层刻蚀时较薄的光刻胶就越容易被刻穿,使膜层过孔的边缘也被刻蚀掉一部分,这样时膜层过孔从中心到边缘有一个深度渐小的变化,从而可以减小膜层过孔的坡度角。因此,如何形成坡度角较小的光刻胶孔是改善膜层之间搭接的关键。
膜层的显影通常是在显影装置中完成的,显影装置设计得是否合理直接关系着膜层的显影效果,进而影响光刻胶孔坡度角的大小。现有的一种显影装置,通常是包括基台以及设置在基台上方的显影液喷头。在对基板上经过曝光后的光刻胶进行显影处理时,是将基板放置于基台上,然后显影液喷头向基板喷显影液。显影液到达曝光后的光刻胶层后,会除去曝光后的光刻胶,由于显影液在水平方向和竖直方向去除的速度一样,这样使得经过显影处理后的光刻胶孔的坡度角β比较大(例如图2所示),从而会使得后续刻蚀膜层过孔的坡度角也比较大,进而会影响膜层之间的搭接,对提高产品良率和显示装置的显示质量非常不利。
发明内容
本发明的实施例提供一种显影装置、曝光显影设备及显影方法,用于解决现有显影装置在对基板上的光刻胶显影处理后,光刻胶孔的坡度角较大的问题。
为达到上述目的,第一方面,本发明实施例提供了一种显影装置,包括基台和显影液喷嘴,所述基台具有基板放置面,所述显影液喷嘴与所述基板放置面相对设置,还包括与所述基板放置面相对设置的微波发射单元,所述微波发射单元的微波发射口朝向所述基板放置面设置,并且沿平行于所述基板放置面的方向,所述微波发射单元与所述显影液喷嘴错开设置。
进一步地,所述显影装置还包括角度调节机构,所述角度调节机构用于调节所述微波发射口的朝向;和/或,所述显影装置还包括升降调节机构,所述升降调节机构用于调节所述微波发射单元与所述基板放置面之间的距离。
进一步地,所述微波发射单元与所述显影液喷嘴位于同一平面内,
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