[发明专利]一种采用埋入式位线的晶体管结构及其制造方法

权利要求书

1.一种采用埋入式位线的晶体管结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底，所述衬底中设有隔离结构，所述隔离结构在所述衬底中界定出多个有源区；

形成漏极沉入凹槽于所述有源区中，并填充绝缘材料于所述漏极沉入凹槽中，所述漏极沉入凹槽交迭于所述有源区中段，且由所述衬底的顶面，所述漏极沉入凹槽的底面相对较浅于所述隔离结构的底面；

形成第一字线沟槽与第二字线沟槽于所述衬底中，并形成埋入式字线在所述第一字线沟槽及所述第二字线沟槽中，由所述衬底的顶面，所述第一字线沟槽与所述第二字线沟槽的底面皆相对较浅于所述隔离结构的底面并相对较深于所述漏极沉入凹槽底面，所述第一字线沟槽与所述第二字线沟槽皆穿过所述有源区，藉由所述第一字线沟槽及所述第二字线沟槽间隔，所述有源区包含第一源极区域、漏极区域与第二源极区域，所述漏极区域位于所述第一源极区域与所述第二源极区域之间；

形成位线沟槽于所述衬底中，并形成埋入式位线于所述位线沟槽中，所述位线沟槽穿过所述漏极沉入凹槽，且所述位线沟槽穿过所述漏极沉入凹槽的部分暴露出所述漏极区域顶面，所述埋入式位线的金属顶面低于所述衬底的顶面，所述衬底的顶面包含所述第一源极区域的上表面与所述第二源极区域的上表面，且所述衬底的顶面在同一有源区中且所述第一源极区域与所述第二源极区域之间的区域是绝缘掩埋。

2.根据权利要求1所述的采用埋入式位线的晶体管结构的制造方法，其特征在于：形成所述位线沟槽时，以所述衬底作为蚀刻终止层。

3.根据权利要求1所述的采用埋入式位线的晶体管结构的制造方法，其特征在于，形成所述埋入式位线包括以下步骤：

填充位线导电材料于所述位线沟槽中；

回刻蚀所述位线导电材料至所述位线导电材料的顶面低于所述衬底的顶面；

填充绝缘材料层于所述位线沟槽中剩余的空间。

4.根据权利要求3所述的采用埋入式位线的晶体管结构的制造方法，其特征在于：填充所述绝缘材料层之前更包括形成位线绝缘保护层于所述埋入式位线顶面的步骤，所述位线绝缘保护层与所述绝缘材料层的材质不同。

5.根据权利要求4所述的采用埋入式位线的晶体管结构的制造方法，其特征在于：所述位线绝缘保护层的材质选用氮化硅，所述绝缘材料层的材质选用二氧化硅。

6.根据权利要求1所述的采用埋入式位线的晶体管结构的制造方法，其特征在于：所述埋入式字线的顶面低于所述漏极沉入凹槽的底面。

7.根据权利要求1所述的采用埋入式位线的晶体管结构的制造方法，其特征在于：形成所述埋入式字线包括以下步骤：

形成衬垫氧化层在所述第一字线沟槽及所述第二字线沟槽的底部及侧壁；

填充字线导电材料于所述第一字线沟槽及所述第二字线沟槽中；

回刻蚀所述字线导电材料至所述字线导电材料的顶面低于所述漏极沉入凹槽的底面；

填充绝缘材质于所述第一字线沟槽及所述第二字线沟槽中剩余的空间。

8.根据权利要求1所述的采用埋入式位线的晶体管结构的制造方法，其特征在于：所述位线沟槽同时穿过多个所述漏极沉入凹槽。

9.根据权利要求1所述的采用埋入式位线的晶体管结构的制造方法，其特征在于：在所述晶体管结构的平面布局中，所述有源区、所述埋入式字线及所述埋入式位线均包含直线型、折线型及波浪型中的任意一种。

10.根据权利要求1所述的采用埋入式位线的晶体管结构的制造方法，其特征在于：所述第一字线沟槽与所述第二字线沟槽分别与所述漏极沉入凹槽的两端相连或相交叠。