[发明专利]一种采用埋入式位线的晶体管结构及其制造方法

说明书

本发明提供一种采用埋入式位线的晶体管结构及其制造方法，该晶体管结构包括衬底、隔离结构、漏极沉入凹槽、第一字线沟槽、第二字线沟槽、埋入式字线、位线沟槽及埋入式位线。本发明的制造方法通过形成漏极沉入凹槽改变晶体管的结构，使得晶体管具有埋入式的位线，晶体管中形成的漏极沉入凹槽增加了源极及漏极的节点接触的面积，并有利于字线的蚀刻，减少沟道漏电。本发明的采用埋入式位线的晶体管结构可以应用在不同形状的有源区，并可以应用在不同的电学电路。

技术领域

本发明属于半导体集成电路领域，涉及一种采用埋入式位线的晶体管结构及其制造方法。

背景技术

半导体存储器(semi-conductor memory)是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器，内存储器就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。半导体存储器按其功能可分为：随机存取存储器(简称RAM)和只读存储器(只读ROM)。具有体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易的优点。RAM包括DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取存储器)，当关机或断电时，其中的信息都会随之丢失。DRAM主要用于主存(内存的主体部分)，SRAM主要用于高速缓存存储器。ROM主要用于BIOS存储器。半导体存储器按其制造工艺可分为：双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。

DRAM是半导体存储器三大主流产品(DRAM，NAND Flash，NOR Flash)之一。DRAM：动态随机存储器(Dynamic RAM)，“动态”两字指的是每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。这是因为DRAM的基本单元是一个晶体管加一个电容，并用电容有无电荷来表示数字信息0和1，电容漏电很快，为防止电容漏电而导致读取信息出错，需要周期性地给DRAM的电容充电，故DRAM速度比SRAM慢。另一方面，这种简单的存储模式也使得DRAM的集成度远高于SRAM，一个DRAM存储单元仅需一个晶体管和一个小电容，而每个SRAM单元需要四到六个晶体管和其他零件，故DRAM在高密度(大容量)以及价格方面均比SRAM有优势。SRAM多用于对性能要求极高的地方(如CPU的一级二级缓冲)，而DRAM则主要用于计算机的内存条等领域。

图1显示为现有技术中DRAM的单个有源区101、字线102与位线103的一种平面布局，图2显示为图1所示结构在A0平面上的截面图，图3显示为图1所示结构在B0平面上的截面图，其中，图2及图3中还示出了位于有源区101与字线102之间的衬垫氧化层104以及位于字线102与位线103之间的绝缘层105，图3中进一步示出了隔离有源区101的隔离结构106。

随着半导体存储器件变得高度集成，单位单元在半导体衬底上的面积会相应地逐渐缩小，这样使得节点接触(Node Contact)的面积也相应的减少。

因此，如何提供一种新的晶体管结构及其制造方法，以增加节点接触面积，提高晶体管的电学性能，成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种采用埋入式位线的晶体管结构及其制造方法，用于解决现有技术中因为器件的高度集成化，节点接触面积减少，导致器件性能下降的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种采用埋入式位线的晶体管结构的制造方法，包括以下步骤：

S1：提供一衬底，所述衬底中设有隔离结构，所述隔离结构在所述衬底中界定出多个有源区；

S2：形成漏极沉入凹槽于所述有源区中，并填充绝缘材料于所述漏极沉入凹槽中，所述漏极沉入凹槽交迭于所述有源区中段，且由所述衬底的顶面，所述漏极沉入凹槽的底面相对较浅于所述隔离结构的底面；