[发明专利]一种非生产性晶圆清洗方法在审
| 申请号： | 201810664747.5 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN109108032A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 王靓;莫保章 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | B08B11/00 | 分类号： | B08B11/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 颗粒度检测 晶圆 混合试剂 清洗 预设 晶圆清洗 清洗剂 转入 晶圆片 去除 回收 | ||
1.一种非生产性晶圆清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：对非生产性晶圆进行颗粒度检测；
步骤S2：将所述步骤S1中的颗粒度检测结果与一预设阈值进行对比，若所述颗粒度检测结果大于所述预设阈值，转入步骤S3；反之，转入步骤S6；
步骤S3：使用清洗剂对所述非生产性晶圆进行清洗；
步骤S4：将经所述步骤S3清洗后的所述非生产性晶圆进行颗粒度检测；
步骤S5：将所述步骤S4中的颗粒度检测结果与所述预设阈值进行对比，若所述颗粒度检测结果大于所述预设阈值，转入步骤S3；反之，转入步骤S6；
步骤S6：将所述非生产性晶圆回收使用；
其中，所述步骤S3包括以下步骤：
步骤S31：使用有机混合试剂对所述非生产性晶圆进行清洗；
步骤S32：使用无机混合试剂对经步骤S31清洗后的所述非生产性晶圆进行清洗。
2.根据权利要求1所述的非生产性晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤S31包括以下步骤：
步骤S31a：使用所述有机混合试剂对所述晶圆进行清洗；
步骤S31b：使用所述有机混合试剂对经所述步骤S31a清洗后的所述晶圆进行清洗。
3.根据权利要求1所述的非生产性晶圆清洗方法，其特征在于，所述预设阈值为颗粒数量值，所述颗粒数量值为100。
4.根据权利要求1所述的非生产性晶圆清洗方法，其特征在于，在所述步骤S31中，所述有机混合试剂的清洗条件为：清洗温度23℃～40℃，清洗时间1min～5min，浸没清洗。
5.根据权利要求1所述的非生产性晶圆清洗方法，其特征在于，在所述步骤S32中，所述无机混合试剂的清洗条件为：清洗温度21℃～25℃，清洗时间1min～3min，浸没清洗。
6.根据权利要求1所述的非生产性晶圆清洗方法，其特征在于，在所述步骤S3中，对清洗后的所述非生产性晶圆进行干燥。
7.根据权利要求6所述的非生产性晶圆清洗方法，其特征在于，所述干燥的方法为，使用氮气对所述非生产性晶圆进行吹扫。
8.根据权利要求1或2所述的非生产性晶圆清洗方法，其特征在于，所述有机混合试剂包括氟化物、极性有机溶剂、水、缓冲液和抑制剂。
9.根据权利要求1所述的非生产性晶圆清洗方法，其特征在于，所述无机混合试剂包括氢氟酸和臭氧。
10.根据权利要求9所述的非生产性晶圆清洗方法，其特征在于，使用的所述氢氟酸为：浓度为49％的HF与H2O按体积比1：100进行混合；
使用的所述臭氧为：O3与H2O按体积比1：50进行混合。
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