[发明专利]一种非生产性晶圆清洗方法

说明书

本发明涉及一种非生产性晶圆清洗方法，包括以下步骤：S1：对非生产性晶圆进行颗粒度检测；S2：将颗粒度检测结果与一预设阈值进行对比，若所述颗粒度检测结果大于所述预设阈值，转入S3；S3：使用清洗剂对所述非生产性晶圆进行清洗；S4：将清洗后的所述非生产性晶圆进行颗粒度检测；步骤S5：将颗粒度检测结果与所述预设阈值进行对比，若所述颗粒度检测结果大于所述预设阈值，转入S3；S6：将所述非生产性晶圆回收使用；所述S3包括以下步骤：S31：使用有机混合试剂对所非生产性述晶圆进行清洗；S32：使用无机混合试剂对所述非生产性晶圆进行清洗。其优点在于，先后使用有机混合试剂和无机混合试剂进行清洗，有效去除颗粒，提高晶圆片的循环使用次数。

技术领域

本发明涉及微电子制造与半导体测试技术领域，尤其涉及一种非生产性晶圆清洗方法。

背景技术

在当前晶圆片可靠性测试中，对于晶圆片量测机台会进行日常的颗粒度检测，目的是监测机台内部的颗粒数量，以确定晶圆片在测试过程中不会增加过多缺陷。

对这些做日常颗粒度检测的非生产性晶圆片的清洗时，采用通常的清洗试剂和清洗方法，清洗后的非生产性晶圆片上仍然存在大量的颗粒，导致非生产性晶圆片的回收使用效果不佳，回收次数有限，增加生产成本。

因此，亟需一种能够有效清除非生产性晶圆片上的不同类型的颗粒，提高非生产性晶圆的回收使用效率，降低成本的清洁回收方法。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术中的不足，提供一种非生产性晶圆清洗方法。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案是：

一种非生产性晶圆清洗方法，包括以下步骤：

步骤S1：对非生产性晶圆进行颗粒度检测；

步骤S2：将所述步骤S1中的颗粒度检测结果与一预设阈值进行对比，若所述颗粒度检测结果大于所述预设阈值，转入步骤S3；反之，转入步骤S6；

步骤S3：使用清洗剂对所述非生产性晶圆进行清洗；

步骤S4：将经所述步骤S3清洗后的所述非生产性晶圆进行颗粒度检测；

步骤S5：将所述步骤S4中的颗粒度检测结果与所述预设阈值进行对比，若所述颗粒度检测结果大于所述预设阈值，转入步骤S3；反之，转入步骤S6；

步骤S6：将所述非生产性晶圆回收使用；

其中，所述步骤S3包括以下步骤：

步骤S31：使用有机混合试剂对所述非生产性晶圆进行清洗；

步骤S32：使用无机混合试剂对经步骤S31清洗后的所述非生产性晶圆进行清洗。

优选地，所述步骤S31包括以下步骤：

步骤S31a：使用所述有机混合试剂对所述非生产性晶圆进行清洗；

步骤S31b：使用所述有机混合试剂对经所述步骤S31a清洗后的所述非生产性晶圆进行清洗。

优选地，在所述步骤S31中，所述有机混合试剂的清洗条件为：清洗温度23℃～40℃，清洗时间1min～5min，浸没清洗。

优选地，所述有机混合试剂的清洗时间为3min。

优选地，所述无机混合试剂的清洗条件为：清洗温度21℃～25℃，清洗时间1min～3min，浸没清洗。

优选地，所述无机混合试剂的清洗温度为23±0.5℃，清洗时间为2min。

优选地，在所述步骤S3中，对清洗后的所述非生产性晶圆进行干燥。