[发明专利]一种石墨烯薄膜的制备方法及其产品和用途在审
申请号: | 201810667847.3 | 申请日: | 2018-06-26 |
公开(公告)号: | CN108751172A | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 刘智良;唐丹丹;杨斌;袁国辉;方振辉;梅佳 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨万鑫石墨谷科技有限公司 |
主分类号: | C01B32/184 | 分类号: | C01B32/184 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
地址: | 150028 黑*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨烯薄膜 衬底 制备 氨气 氧化石墨烯 还原 氧化石墨烯悬浮液 惰性气体 环氧基团 还原气体 石墨烯膜 直接选择 氢气 导热率 还原剂 拉伸 水中 去除 溶解 | ||
1.一种石墨烯薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将氧化石墨烯分散于水中,得到氧化石墨烯悬浮液;
(2)将氧化石墨烯悬浮液涂布在衬底上,干燥,得到衬底负载的氧化石墨烯膜;
(3)将步骤(2)所得衬底负载的氧化石墨烯膜在惰性气体中升温至800~1000K,通入氨气,恒温下进行还原,得到衬底负载的石墨烯薄膜;
(4)用酸将步骤(3)所得衬底负载的石墨烯薄膜中衬底溶解掉,得到石墨烯薄膜。
2.如权利要求1所述的石墨烯薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)中氧化石墨烯与水的质量体积比为0.01~1g/L。
3.如权利要求1或2所述的石墨烯薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述氧化石墨烯为经过振动筛过滤的氧化石墨烯;
优选地,所述振动筛的筛网孔径为100~500目。
4.如权利要求1~3任一项所述的石墨烯薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述衬底包括铜薄膜;
优选地;所述铜薄膜的厚度为20~60μm;
优选地,所述铜薄膜中含有0.03~0.05wt%的稀土元素;
优选地,所述稀土元素包括镧、钕、铒或铈中的任意一种或至少两种的组合,优选铈。
5.如权利要求1~4任一项所述的石墨烯薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述惰性气体包括氩气、氦气或氖气中的任意一种或至少两种的组合;
优选地,步骤(3)所述升温的速率为5~20℃/min,优选9.5~10.5℃/min;
优选地,步骤(3)所述通入氨气与步骤(1)所用氧化石墨烯的质量比为(10~20):(80~90),优选(12~16):(84~88);
优选地,所述步骤(3)在管式炉中进行;
优选地,步骤(3)所述恒温的时间为6~8h。
6.如权利要求1~5任一项所述的石墨烯薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(4)所述酸包括硝酸溶液;
优选地,所述硝酸溶液的浓度为4~6mol/L。
7.如权利要求1~6任一项所述的石墨烯薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(4)所得石墨烯薄膜的厚度为1~20μm,导热率为780~850W/m·K,拉伸强度值为37.8~57.9MPa;
优选地,步骤(4)所得石墨烯薄膜的O/C摩尔比为1:(20~30)。
8.如权利要求1~7任一项所述的石墨烯薄膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
(1)将氧化石墨烯分散于水中,氧化石墨烯与水的质量体积比为0.01~1g/L,得到氧化石墨烯悬浮液;
(2)将氧化石墨烯悬浮液涂布在厚度为20~60μm的含有0.03~0.05wt%稀土元素的铜薄膜上,干燥,得到衬底负载的氧化石墨烯膜;
(3)将步骤(2)所得衬底负载的氧化石墨烯膜置于管式炉中,在氩气、氦气或氖气中的任意一种或至少两种的组合气体中以5~20℃/min的速率升温至800~1000K,通入氨气,通入氨气与步骤(1)所用氧化石墨烯的质量比为(10~20):(80~90),恒温6~8h进行还原,得到衬底负载的石墨烯薄膜;
(4)用4~6mol/L的硝酸溶液将步骤(3)所得衬底负载的石墨烯薄膜中铜薄膜溶解掉,得到厚度为1~20μm,导热率为780~850W/m·K,拉伸强度值为37.8~57.9MPa、O/C摩尔比为1:(20~30)的石墨烯薄膜。
9.一种如权利要求1~8任一项所述的石墨烯薄膜的制备方法制备的石墨烯薄膜。
10.如权利要求9所述的石墨烯薄膜的用途,其特征在于,所述石墨烯薄膜用于触摸屏、太阳能电池、OLED的透明导电膜或透明导热膜。
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