[发明专利]一种功率器件的封装方法在审
申请号: | 201810669850.9 | 申请日: | 2018-06-26 |
公开(公告)号: | CN109003905A | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 黄平;鲍利华;张迪雄 | 申请(专利权)人: | 上海朕芯微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人: | 吕伴 |
地址: | 201414 上海市奉*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 功率器件 背面金属化 金属框架 散热效果 封装体 打线 夹片 减薄 芯片 加工 安全 | ||
1.一种功率器件的封装方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一:取一金属框架,在所述金属框架相对的第一面和第二面贴膜,形成第一贴膜层和第二贴膜层,在所述第一贴膜层进行曝光显影,然后腐蚀,腐蚀后去掉剩余的第一贴膜层和第二贴膜层,得到腐蚀后的金属框架,所述腐蚀后的金属框架的第一面具有间隔交错布置的凸柱和凹坑;
步骤二:取一晶圆,在所述晶圆的压焊区域间隔做若干铜柱或植球,然后对晶圆的压焊区域和若干铜柱或植球进行芯片级塑封,芯片级塑封形成的芯片级塑封体将所述晶圆所有的压焊区域和若干铜柱或植球包覆住;接着对所述芯片级塑封体远离所述晶圆那一表面进行研磨至所述铜柱或植球远离所述晶圆那一表面露出形成管芯;
步骤三:将所述管芯露出所述铜柱或植球的那一面倒扣在步骤一制备的腐蚀后的金属框架第一面上,并将所述铜柱或植球远离所述晶圆那一表面与对应的所述凸柱的顶面焊接在一起;
步骤四:在步骤一制备的腐蚀后的金属框架第一面上的凹坑内填充密封胶,完全密封所述管芯和所述腐蚀后的金属框架的第一面;
步骤五:研磨所述管芯中的晶圆远离所述压焊区域的那一面至规定的厚度并形成一管芯研磨面,然后将所述管芯研磨面金属化形成一金属电极层;
步骤六:采用打线或夹片方式将所述金属电极层引到所述腐蚀后的金属框架上;
步骤七:将所述管芯和所述腐蚀后的金属框架的第一面用环氧树脂包封体完全包封起来;
步骤八:将所述腐蚀后的金属框架的第二面不需要的部分腐蚀掉,完全分离所述功率器件的各个电极。
2.如权利要求1所述的一种功率器件的封装方法,其特征在于,还包括一步骤九,所述步骤九是将所述环氧包封体远离所述腐蚀后的金属框架那一面进行研磨至打线或夹片露出,以增加散热效果。
3.如权利要求1所述的一种功率器件的封装方法,其特征在于,步骤八中,将所述腐蚀后的金属框架的第二面不需要的部分腐蚀掉是先在所述腐蚀后的金属框架的第二面上印刷或贴膜,然后曝光、显影。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海朕芯微电子科技有限公司,未经上海朕芯微电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810669850.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造