[发明专利]一种功率器件的封装方法

说明书

本发明公开的一种功率器件的封装方法，其是先封装，然后再减薄背面金属化，完全可以避免薄片的加工；安全且不易碎片，因此器件的芯片厚度可以做的很薄。另外采用本发明的功率器件的封装方法封装的功率器件其金属框架和打线或夹片均露出封装体，提高了散热效果。

技术领域

本发明涉及半导体器件的封装方法，特别涉及一种功率器件的封装方法。

背景技术

通常，半导体分离器件或功率器件的电极会在晶圆的两侧。对于功率MOSFET而言，晶圆的正面是器件的源极和栅极，晶圆的背面是器件的漏极；对于双极型器件而言，晶圆的正面是器件的发射极和基极，晶圆的背面是器件的集电极。所以，对于分离器件，要想很好地散热，只能是增加散热器的体积。

另外，通常的功率器件的封装方法都是先减薄背面金属化，然后再划片、贴片、打线和塑封等；但如果芯片的厚度非常薄，比如10～20um，那么用传统的封装方法一定非常困难。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于针对现有功率器件封装方法所带来的散热效果不好且半导体的管芯无法做到很薄的问题而提供一种功率器件的封装方法。该封装方法是先封装后再做减薄和背面金属化，半导体的管芯可以做到很薄，同时封装体的两侧都用金属暴露出来，这样有利于散热。

本发明所要解决的技术问题可以通过以下技术方案来实现：

一种功率器件的封装方法，包括如下步骤：

步骤一：取一金属框架，在所述金属框架相对的第一面和第二面贴膜，形成第一贴膜层和第二贴膜层，在所述第一贴膜层进行曝光显影，然后腐蚀，腐蚀后去掉剩余的第一贴膜层和第二贴膜层，得到腐蚀后的金属框架，所述腐蚀后的金属框架的第一面具有间隔交错布置的凸柱和凹坑；

步骤二：取一晶圆，在所述晶圆的压焊区域间隔做若干铜柱或植球，然后对晶圆的压焊区域和若干铜柱或植球进行芯片级塑封，芯片级塑封形成的芯片级塑封体将所述晶圆所有的压焊区域和若干铜柱或植球包覆住；接着对所述芯片级塑封体远离所述晶圆那一表面进行研磨至所述铜柱或植球远离所述晶圆那一表面露出形成管芯；

步骤三：将所述管芯露出所述铜柱或植球的那一面倒扣在步骤一制备的腐蚀后的金属框架第一面上，并将所述铜柱或植球远离所述晶圆那一表面与对应的所述凸柱的顶面焊接在一起；

步骤四：在步骤一制备的腐蚀后的金属框架第一面上的凹坑内填充密封胶，完全密封所述管芯和所述腐蚀后的金属框架的第一面；

步骤五：研磨所述管芯中的晶圆远离所述压焊区域的那一面至规定的厚度并形成一管芯研磨面，然后将所述管芯研磨面金属化形成一金属电极层；

步骤六：采用打线或夹片方式将所述金属电极层引到所述腐蚀后的金属框架上；

步骤七：将所述管芯和所述腐蚀后的金属框架的第一面用环氧树脂包封体完全包封起来；

步骤八：将所述腐蚀后的金属框架的第二面不需要的部分腐蚀掉，完全分离所述功率器件的各个电极。

在本发明的一个优选实施例中，还包括一步骤九，所述步骤九是将所述环氧包封体远离所述腐蚀后的金属框架那一面进行研磨至打线或夹片露出，以增加散热效果。

在本发明的一个优选实施例中，步骤八中，将所述腐蚀后的金属框架的第二面不需要的部分腐蚀掉是先在所述腐蚀后的金属框架的第二面上印刷或贴膜，然后曝光、显影。

由于采用了如上的技术方案，本发明的功率器件的封装方法是先封装，然后再减薄背面金属化，完全可以避免薄片的加工；安全且不易碎片，因此器件的芯片厚度可以做的很薄。另外采用本发明的功率器件的封装方法封装的功率器件其金属框架和打线或夹片均露出封装体，提高了散热效果。

附图说明