[发明专利]感光芯片封装结构及其形成方法在审
申请号: | 201810669963.9 | 申请日: | 2018-06-26 |
公开(公告)号: | CN110649047A | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 陈家纬;陈信文 | 申请(专利权)人: | 三赢科技(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 44334 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 | 代理人: | 饶智彬;李艳霞 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃 封装结构 感光芯片 感光区 电路板 边缘区 透光区 环绕 感光芯片封装结构 电路板电性导通 非感光区 不透光 挡光层 包覆 侧壁 光路 覆盖 | ||
一种感光芯片封装结构,其包括:电路板;设置于电路板上、与电路板电性导通的感光芯片,所述感光芯片包括感光区以及环绕所述感光区的非感光区;保护玻璃,所述保护玻璃的尺寸大于所述感光区的尺寸,所述保护玻璃完全覆盖所述感光区,所述保护玻璃在光路方向上定义有透光区与环绕所述透光区的边缘区;以及封装结构,所述封装结构不透光,所述封装结构包覆所述感光芯片及保护玻璃的侧壁且覆盖所述保护玻璃的所述边缘区以在所述保护玻璃的边缘区形成挡光层,所述封装结构、所述保护玻璃、所述感光芯片及所述电路板形成为一体。
技术领域
本发明涉及一种用于相机模组中的感光芯片封装结构及其形成方法。
背景技术
现有技术中,感光芯片都是通过模塑于芯片的方式(Molding on chip,MOC)形成于电路板上,具体地,在模塑之前,是先将感光芯片设置于电路板,再对电路板及感光芯片实现电性导通,再在感光芯片周围侧射出成型使封装体将感光芯片及电路板形成于一体得到封装结构,所述封装体能为摄像模组提供支撑。将所述感光芯片封装结构用于形成摄像模组时,将镜头结构设置在所述封装体上。但是,在将封装结构与光学镜头一起形成摄像模组之前,感光芯片长时间暴露于空气中,造成落尘掉落于感光芯片上,而导致摄像模组用于摄像时会产生影像坏点。
因此,有必要提供一种能克服以上技术问题的用于相机模组的感光芯片封装结构及其形成方法。
发明内容
本发明目的在于提供一种能解决上述问题的感光芯片封装结构及其形成方法。
一种感光芯片封装结构,其包括:
电路板;
设置于电路板上、与电路板电性导通的感光芯片,所述感光芯片包括感光区以及环绕所述感光区的非感光区;
保护玻璃,所述保护玻璃的尺寸大于所述感光区的尺寸,所述保护玻璃完全覆盖所述感光区,所述保护玻璃在光路方向上定义有透光区与环绕所述透光区的边缘区;以及
封装结构,所述封装结构不透光,所述封装结构包覆所述感光芯片及保护玻璃的侧壁且覆盖所述保护玻璃的所述边缘区以在所述保护玻璃的边缘区形成挡光层,所述封装结构、所述保护玻璃、所述感光芯片及所述电路板形成为一体。
在一个优选实施方式中,所述封装结构包括用于支撑光学镜头的支撑面以及与支撑面垂直的侧表面,所述封装结构还包括嵌入成型有金属片,所述金属片位于所述支撑面以及侧表面。
在一个优选实施方式中,所述感光区周围设置有一圈黑胶层,所述滤光片通过所述黑胶层贴设于所述感光区。
在一个优选实施方式中,所述挡光层的厚度为0.1毫米至0.3毫米。
一种感光芯片封装结构的形成方法,其包括如下步骤:
提供电路板;
提供感光芯片,并将所述感光芯片贴设于所述电路板上,所述感光芯片包括感光区及非感光区;
提供保护玻璃,所述保护玻璃的尺寸大于所述感光区的尺寸,将所述保护玻璃贴设于所述感光芯片的表面,所述保护玻璃完全覆盖所述感光区,所述保护玻璃在光路方向上定义有透光区与环绕所述透光区的边缘区;
导通连接所述电路板及所述感光芯片;
在所述电路板上模塑形成封装结构,所述封装结构不能透光,所述封装结构包覆所述感光芯片及保护玻璃的侧壁且覆盖所述保护玻璃的所述边缘区形成挡光层,所述封装结构、所述保护玻璃、所述感光芯片及所述电路板形成为一体。
在一个优选实施方式中,所述挡光层的厚度为0.1毫米至0.3毫米。
在一个优选实施方式中,提供的电路板上还设置有电子元件,所述电子元件位于所述感光芯片的周围,经过模塑形成的所述封装结构还包覆所述电子元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的