[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810670754.6 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110649166A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 朱佩;向超宇;王雄志;张滔;李乐 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 44268 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子点 发光二极管 空穴注入层 氧化镍薄膜 阳极 金属掺杂 发光层 薄膜 阴极 空穴载流子 层叠设置 传输效率 传输性能 氮化处理 多孔结构 发光效率 氮化 氮原子 光损失 孔隙率 透光率 氧化镍 折射率 制备 引入 | ||
1.一种量子点发光二极管，包括层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极，其特征在于，还包括设置于阳极和量子点发光层之间的空穴注入层，所述空穴注入层的材料包括氮化的金属掺杂氧化镍。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述氮化的金属掺杂氧化镍中，掺杂金属的氧化物的禁带宽度大于所述氧化镍的禁带宽度。
3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述氮化的金属掺杂氧化镍中，掺杂的金属为锂、镁或铜中的一种。
4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述氮化的金属掺杂氧化镍中，金属摩尔掺杂量为1-5%。
5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为30-150nm。
6.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供阳极；
提供金属掺杂氧化镍材料，并在阳极上制备由所述金属掺杂氧化镍材料形成的空穴注入层；
将氧气与氮气按照预定体积比例混合形成混合速流对所述空穴注入层进行激光气体氮化处理，得到内部具有多孔结构的空穴注入层；
在所述内部具有多孔结构的空穴注入层上制备量子点发光层；
在量子点发光层上制备阴极，得到量子点发光二极管。
7.根据权利要求6所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述金属掺杂氧化镍材料的制备方法包括步骤：
将掺杂金属的氧化物与氧化镍按照0.01-0.05：0.95-0.99的摩尔比混合研磨，得到混合粉体；
将所述混合粉体依次进行烧结、冷却、干压、再烧结处理后得到金属掺杂氧化镍材料。
8.根据权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述烧结处理的温度为800-1000℃，和/或烧结时间为6-10h。
9.根据权利要求6所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述氧气与氮气按照1：6-1：10的体积比混合形成混合速流。
10.根据权利要求6所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述混合束流的预热温度为200-400℃，和/或激光扫描速度为100-300m/min。
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