[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极，其中，还包括设置于阳极和量子点发光层之间的空穴注入层，所述空穴注入层的材料包括氮化的金属掺杂氧化镍。本发明通过金属掺杂改善氧化镍薄膜的传输性能，并提高其空穴载流子的传输效率，从而提升量子点发光二极管的发光效率；进一步地，金属掺杂氧化镍薄膜经过氮化处理后，使得薄膜内部引入了一定量的氮原子，从而增加了薄膜内部的孔隙率，内部多孔结构可使得氧化镍薄膜的折射率下降，减少了空穴注入层到阳极的出光损失，从而提高量子点发光二极管的透光率。

技术领域

本发明涉及量子点发光二极管领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

近年来，随着显示技术的快速发展，以半导体量子点材料作为发光层的量子点发光二极管（QLED）受到了广泛的关注。QLED的色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点使得其在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。

传统量子点发光二极管结构通常包括：衬底（如玻璃）/透明阳电极（如ITO）/导电缓冲层（如PEDOT:PSS）/HTL/QDS/ETL/阴电极（如银、铝），现有ITO电极上通常会制备一层由聚乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT:PSS）材料形成的空穴传输层，所述PEDOT:PSS的HOMO能级与ITO功函数良好的匹配，使得其能够有效实现空穴的注入和传输，但是由于PEDOT:PSS呈现酸性，在器件的长期使用中会腐蚀电极，从而导致QLED的发光效率和寿命的下降。

氧化镍薄膜是一种良好的P型半导体材料，其晶格存在与Ni²⁺空位，使得其呈现较好的空穴导电性能，但是氧化镍的面电阻较大，影响了空穴载流子的的传输效率，并且氧化镍的透光性较差，影响了底发光器件的发光效率。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有量子点发光二极管透光性差、发光效率低的问题。

本发明的技术方案如下：

一种量子点发光二极管，包括层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极，其中，还包括设置于阳极和量子点发光层之间的空穴注入层，所述空穴注入层的材料包括氮化的金属掺杂氧化镍。

一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括以下步骤：

提供阳极；

提供金属掺杂氧化镍材料，并在阳极上制备由所述金属掺杂氧化镍材料形成的空穴注入层；

将氧气与氮气按照预定体积比例混合形成混合速流对所述空穴注入层进行激光气体氮化处理，得到内部具有多孔结构的空穴注入层；

在所述内部具有多孔结构的空穴注入层上制备量子点发光层；

在量子点发光层上制备阴极，得到量子点发光二极管。

有益效果：本发明提供的量子点发光二极管包括空穴注入层，所述空穴注入层的材料包括氮化的金属掺杂氧化镍，通过金属掺杂可改善氧化镍薄膜的传输性能，并提高其空穴载流子的传输效率，从而提升量子点发光二极管的发光效率；进一步地，金属掺杂氧化镍薄膜经过氮化处理后，使得薄膜内部引入了一定量的氮原子，从而增加了薄膜内部的孔隙率，内部多孔结构可使得氧化镍薄膜的折射率下降，减少了空穴注入层到阳极的出光损失，从而提高量子点发光二极管的透光率。

附图说明

图1为本发明一种量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图。

具体实施方式