[发明专利]一种DDR2/DDR3存储器的快速检测方法在审
| 申请号： | 201810671129.3 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110647436A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 杨海涛;黄佳;张伟彬 | 申请（专利权）人： | 北京自动化控制设备研究所 |
| 主分类号： | G06F11/26 | 分类号： | G06F11/26 |
| 代理公司： | 11007 核工业专利中心 | 代理人： | 孙成林 |
| 地址： | 100074 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 回读 写入 继续执行 芯片故障 跳变 检测 存储器检测 快速检测 循环执行 校验 时钟沿 首地址 反码 整片 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种DDR2/DDR3存储器的快速检测方法，其特征在于：它包括如下步骤：
1、首地址写入0xFFFF0000；
2、回读；
3、回读值与写入值相同，则继续执行；否则报芯片故障，结束检测；
4、地址加1，写入值低16位和地址的低16位相同，写入值高16位为低16位的反码；
5、回读；
6、回读校验，回读值与写入值相同，则继续执行；否则报芯片故障，结束检测；
7、循环执行步骤4-7，直至整片存储器检测完成。
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