[发明专利]一种DDR2/DDR3存储器的快速检测方法

说明书

本发明提供一种DDR2/DDR3存储器的快速检测方法，它包括如下步骤：1、首地址写入0xFFFF0000；2、回读；3、回读值与写入值相同，则继续执行；否则报芯片故障，结束检测；4、地址加1，写入值低16位和地址的低16位相同，写入值高16位为低16位的反码；5、回读；6、回读校验，回读值与写入值相同，则继续执行；否则报芯片故障，结束检测；7、循环执行步骤4‑7，直至整片存储器检测完成。本发明的优点是，根据DDR2/DDR3存储器数据在时钟双沿跳变的特点，能够实现所有数据位在时钟沿同时跳变的检测，提高效率的同时，保证了产品的可靠性。

技术领域

本发明属于电路检测方法，具体涉及一种DDR2/DDR3存储器的快速检测方法，它能够对DDR2/DDR3存储器和相关电路进行检测，剔除芯片和电路早期故障。

背景技术

DDR2/DDR3存储器是导航计算机常用的存储器，其性能的好坏直接影响相关软件的运行结果，在DDR2/DDR3存储器使用之前，必须对其进行检测。检测方法是通过写入指定值回读校验。传统的检测方法通常写入全0、全1和01交替。这种检测方法耗时较长，效率低，同时不能剔除所有数据位在时钟沿同时跳变的故障。

发明内容

本发明的目的是提供一种DDR2/DDR3存储器的快速检测方法，它节省时间的同时又具有很高的可靠性。

本发明是这样实现的，一种DDR2/DDR3存储器的快速检测方法，它包括如下步骤：

1、首地址写入0xFFFF0000；

2、回读；

3、回读值与写入值相同，则继续执行；否则报芯片故障，结束检测；

4、地址加1，写入值低16位和地址的低16位相同，写入值高16位为低16位的反码；

5、回读；

6、回读校验，回读值与写入值相同，则继续执行；否则报芯片故障，结束检测；

7、循环执行步骤4-7，直至整片存储器检测完成。

本发明的优点是，根据DDR2/DDR3存储器数据在时钟双沿跳变的特点，能够实现所有数据位在时钟沿同时跳变的检测，提高效率的同时，保证了产品的可靠性。本发明使用的所有数据位在时钟沿同时跳变的检测方法，可以有效剔除DDR2/DDR3存储器和相关电路的早期故障；本发明所使用的所有数据位在时钟沿同时跳变的检测方法可以根据需要进行扩展，以适应不同的应用场合。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明进行详细介绍：

一种DDR2/DDR3存储器的快速检测方法，包括如下步骤：

1、首地址写入0xFFFF0000；

2、回读；

3、回读值与写入值相同，则继续执行；否则报芯片故障，结束检测；

4、地址加1，写入值低16位和地址的低16位相同，写入值高16位为低16位的反码；

5、回读；

6、回读校验，回读值与写入值相同，则继续执行；否则报芯片故障，结束检测；

7、循环执行步骤4-7，直至整片存储器检测完成。