[发明专利]半导体组件有效
| 申请号： | 201810673212.4 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN109216312B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 椎崎良辅;青岛正贵 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 史雁鸣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 | ||
1.一种半导体组件，其特征在于，包括：
半导体基板；
第一电极，所述第一电极在所述半导体基板的第一表面的除外周区域以外的范围内接合到所述第一表面上；
第二电极，所述第二电极接合到作为所述第一表面的相反侧的所述半导体基板的表面的第二表面上；
第一导电体，所述第一导电体经由第一焊料层连接于所述第一电极；以及
第二导电体，所述第二导电体经由第二焊料层连接于所述第二电极，其中
当沿着所述半导体基板的厚度方向观察时，所述第二电极与整个所述第一电极重叠，并且，比所述第一电极宽，
在所述第二导电体的接合于所述第二焊料层的接合面上设置有凹部，所述凹部以当沿着厚度方向观察所述半导体基板时与所述第一电极的外周缘重叠的方式沿着所述外周缘配置，
被所述凹部包围的范围内的所述接合面与比所述凹部靠外周侧的所述第二导电体的表面相比更向所述半导体基板侧突出。
2.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，
在所述接合面，所述凹部呈环状延伸，
当沿着厚度方向观察所述半导体基板时，所述第一电极的所述外周缘全部与所述凹部重叠。
3.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，
当沿着厚度方向观察所述半导体基板时，所述凹部的最深部位于所述第一电极的所述外周缘的内周侧。
4.如权利要求2或3所述的半导体组件，其特征在于，
所述第二焊料层覆盖所述凹部和比所述凹部靠外周侧的所述第二导电体的表面。
5.如权利要求1～3中任一项所述的半导体组件，其特征在于，
当沿着厚度方向观察所述半导体基板时，所述凹部的外周缘位于所述半导体基板的外周缘的内周侧。
6.如权利要求1～3中任一项所述的半导体组件，其特征在于，
所述半导体基板是SiC基板。
7.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，在所述第二导电体的接合于所述第二焊料层的接合面上设置有多个凹部，所述多个凹部以当沿着厚度方向观察所述半导体基板时与所述第一电极的外周缘重叠的方式沿着所述外周缘配置。
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