[发明专利]半导体组件

说明书

一种半导体组件，具有：半导体基板；第一电极，所述第一电极在所述半导体基板的第一表面的除外周区域以外的范围内接合到所述第一表面上；第二电极，所述第二电极接合到作为所述第一表面的相反侧的所述半导体基板的表面的第二表面上；第一导电体，所述第一导电体经由第一焊料层连接于所述第一电极；以及第二导电体，所述第二导电体经由第二焊料层连接于所述第二电极。当沿着所述半导体基板的厚度方向观察时，所述第二电极与整个所述第一电极重叠，并且，比所述第一电极宽。在所述第二导电体的接合于所述第二焊料层的接合面上设置有凹部，所述凹部以当沿着厚度方向观察所述半导体基板时与所述第一电极的外周缘重叠的方式沿着所述外周缘配置。

技术领域

本说明书公开的技术涉及半导体组件。

背景技术

在日本特开2016-046497中公开了一种半导体组件，所述半导体组件具有导电体通过钎焊被接合于半导体芯片的两个面的结构。图18放大地表示出日本特开2016-046497的半导体组件的一部分。如图18所示，半导体组件160具有半导体基板150、接合于半导体基板150的一个表面150a上的第一电极110、以及接合于半导体基板150的另一个表面150b上的第二电极120。第一电极110被焊料层112接合于第一导电体114，第二电极120被焊料层122接合于第二导电体124。第一导电体114和第二导电体124分别起着作为从半导体基板150放热的散热构件的作用。

发明内容

由于在半导体基板150的一个表面150a设置除第一电极110以外的其它电极(例如，信号电极等)，因此，第一电极110的尺寸比第二电极120的尺寸小。在半导体基板150发热时，第一导电体114、第二导电体124及半导体基板150分别热膨胀。这时，由于第一导电体114的线膨胀系数和第二导电体124的线膨胀系数比半导体基板150的线膨胀系数大，因此，第一导电体114的膨胀量和第二导电体124的膨胀量变得比半导体基板150的膨胀量大。通过第一导电体114的热膨胀，焊料层112被向外周侧拉伸。通过第二导电体124的热膨胀，焊料层122被向外周侧拉伸。通过半导体基板150反复发热，向焊料层112、122反复施加应力。这样，由于焊料的蠕变现象，如图18的箭头所示，在焊料层112的内部，焊料向外周侧移动，在焊料层122的内部，焊料向外周侧移动。当焊料的蠕变现象进一步进行时，如图19的箭头190所示，在焊料层112的内部向外周侧移动的焊料，在第一电极110的外周缘110a附近对半导体基板150向下方加压。其结果是，如图19所示，半导体基板150在第一电极110的外周缘110a处向下方翘曲。通过被向下方翘曲的半导体基板150加压，焊料层122内的焊料从被加压的部分向周围移动。其结果是，如图19的箭头192所示，焊料层122内的焊料的一部分向第一电极110的中央部的下部移动。因此，在第一电极110的中央部的位置，焊料层122对半导体基板150向上方加压，半导体基板150向上方翘曲。由于在半导体基板150上产生如图19所示的翘曲，半导体基板150恶化。由于上述原因，半导体组件的可靠性降低。在图18、19中，半导体芯片160被绝缘树脂覆盖，但是，已经确认了即使在半导体芯片不被绝缘树脂覆盖的情况下，也产生与图19同样的翘曲。从而，在本说明书中，提出了在半导体组件中抑制由焊料的蠕变现象引起的半导体基板的翘曲的技术。

根据本公开的方式的半导体组件具有：半导体基板；第一电极，所述第一电极在所述半导体基板的第一表面的除外周区域以外的范围内接合到所述第一表面上；第二电极，所述第二电极接合到作为所述第一表面的相反侧的所述半导体基板的表面的第二表面上；第一导电体，所述第一导电体经由第一焊料层连接于所述第一电极；以及第二导电体，所述第二导电体经由第二焊料层连接于所述第二电极。当沿着所述半导体基板的厚度方向观察时，所述第二电极与整个所述第一电极重叠，并且，比所述第一电极宽。在所述第二导电体的接合于所述第二焊料层的接合面上设置有凹部，所述凹部以当沿着厚度方向观察所述半导体基板时与所述第一电极的外周缘重叠的方式沿着所述外周缘配置。