[发明专利]一种基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201810674977.X | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN109003882B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 陈方;简锦诚;史秀景;郑帅;田汝强;郝光叶;陈宜铭;周刘飞 | 申请（专利权）人： | 南京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静 |
| 地址： | 210033 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 及其 制造 方法 | ||
1.一种基板的制造方法，所述基板包括第三绝缘层，所述方法包括如下步骤：
形成第一金属层；
形成覆盖第一金属层的第一绝缘层；
形成位于第一绝缘层上的第二金属层；
形成覆盖第二金属层的第二绝缘层；
形成位于第二绝缘层上的第三绝缘层；其特征在于：
所述第三绝缘层通过两次蚀刻工艺完成，第一次蚀刻后，第三绝缘膜层还具有一定厚度的保护膜层；第二次蚀刻后，移除所述保护膜层，形成所述第三绝缘层；
所述第一次蚀刻采用的掩膜版具有不透区以及半透区或半透区和全透区的组合；
所述第二次蚀刻采用第一次蚀刻后的所述第三绝缘膜层作为蚀刻阻挡层；
其中，所述第一金属层形成栅极配线，所述第二金属层形成源极配线，所述第一绝缘层为栅极绝缘层，所述第二绝缘层为无机绝缘层，所述第三绝缘层为有机绝缘层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二次蚀刻还移除部分第一绝缘层和第二绝缘层。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二次蚀刻还移除部分位于所述不透区的所述第三绝缘膜层。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二次蚀刻移除的位于所述不透区的第三绝缘膜层的厚度和所述保护膜层的厚度相等。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述保护膜层位于所述半透区。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半透区的透过率介于10％至50％之间。
7.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述保护膜层的厚度与第一绝缘层和第二绝缘层的厚度和相等。
8.一种基板的制造方法，所述基板包括第三绝缘层，所述方法包括如下步骤：
形成第一金属层；
形成覆盖第一金属层的第一绝缘层；
形成位于第一绝缘层上的第二金属层；
形成覆盖第二金属层的第二绝缘层；
形成位于第二绝缘层上的第三绝缘层；其特征在于：
所述第三绝缘层通过两次蚀刻工艺完成，第一次蚀刻后，第三绝缘膜层还具有一定厚度的保护膜层；第二次蚀刻后，移除所述保护膜层，形成所述第三绝缘层；
所述第一次蚀刻采用的掩膜版具有不透区、半透区和全透区的组合；
所述第二次蚀刻采用第一次蚀刻后的所述第三绝缘膜层作为蚀刻阻挡层；
其中，所述全透区对应过孔，所述第一金属层通过所述过孔暴露，且通过所述过孔与公共电极电连接。
9.一种基板，其特征在于，所述基板采用权利要求1-7中任一项所述的制造方法制造；或者
所述基板采用权利要求8所述的制造方法制造。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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