[发明专利]一种基板及其制造方法

说明书

本发明提供一种基板及其制造方法，所述基板包括基底、位于基底上的第一金属层、位于第一金属层上的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的第二金属层、位于第二金属层上的第二绝缘层、位于第二绝缘层上的第三绝缘层，所述第三绝缘层通过两次蚀刻工艺完成，第一次蚀刻后，第三绝缘膜层还具有一定厚度的保护膜层；第二次蚀刻后，移除所述保护膜层，形成所述第三绝缘层。本发明通过使用第三绝缘层作为掩膜版，减少一道掩膜版，缩减了一道过孔的黄光制程，可以进一步减少光刻次数，优化制程，从而节省成本、提高节拍时间，进一步增强竞争力。

技术领域

本发明属于显示面板的技术领域，具体涉及一种基板及其制造方法。

技术背景

使用有机绝缘层作为蚀刻掩膜版时，具体为在有机绝缘层制作完成后，直接以有机绝缘层作为蚀刻阻挡层对无机绝缘层和栅极绝缘层进行蚀刻，蚀刻原因为需要将下层的金属线信号导通到上层。

如图1所示，基板的结构依次是基底10、位于基底10上的第一金属层20、位于第一金属层20上的栅极绝缘层30、位于栅极绝缘层30上的第二金属层40、位于第二金属层40上的无机绝缘层50、位于无机绝缘层50上的有机绝缘层6，以及有机绝缘层沟道70，该技术在制作有机绝缘层沟道70时遇到了问题，由于有机绝缘层沟道所在位置的下方绝缘层不需要刻蚀，但使用有机绝缘层作为蚀刻光罩的技术会使得下方的金属层裸露出来，必须再以ITO层90覆盖刻蚀后裸露的金属层20、40，从而避免金属表面发生氧化的问题。由于有机绝缘层沟道70下方走线密集，ITO层90覆盖要么占用空间较大，要么由于两个ITO层90之间的距离d过小而会造成金属配线的短路。

如图2所示，IC内部A1的基板结构包括基底10、位于基底10上的第一金属层20、位于第一金属层20上的栅极绝缘层30、位于栅极绝缘层30上的第二金属层40，IC内部A1还有多个过孔；IC外部B1的基板结构包括基底10、位于基底10上的栅极绝缘层30、位于栅极绝缘层30上的无机绝缘层50、位于无机绝缘层50上的有机绝缘层60。该技术在制作IC区域时遇到了问题，由于第二金属层40的阻挡作用，会导致蚀刻时在第二金属层40下方出现内切(under cut)80，导致后续公共电极90爬坡断线，导致第一金属层20和第二金属层40不能导通。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提出一种基板及其制造方法，在第三绝缘层制作时采用HTM(Half Tone Mask，半色调掩膜版)技术，在沟道处采用半透设计，保留半透部分的膜层作为保护膜层，使得金属配线不会裸露出来。同时保护膜层在刻蚀过后消失，结构与不减少光罩制备出来的结构保持一致，在IC处采用半透搭全透的设计，避免IC处出现内切的问题。

本发明提供一种基板的制造方法，包括如下步骤：形成第一金属层；形成覆盖第一金属层的第一绝缘层；形成位于第一绝缘层上的第二金属层；形成覆盖第二金属层的第二绝缘层；形成位于第二绝缘层上的第三绝缘层；所述第三绝缘层通过两次蚀刻工艺完成，第一次蚀刻后，第三绝缘膜层还具有一定厚度的保护膜层；第二次蚀刻后，移除所述保护膜层，形成所述第三绝缘层。

优选地，所述第一次蚀刻采用的掩膜版具有不透区以及半透区或半透区和全透区的组合。

优选地，所述第二次蚀刻采用第一次蚀刻后的所述第三绝缘膜层作为掩膜版。

优选地，所述第二次蚀刻还移除部分第一绝缘层和第二绝缘层。

优选地，所述第二次蚀刻还移除部分位于所述不透区的所述第三绝缘膜层。

优选地，所述第二次蚀刻移除的位于所述不透区的第三绝缘膜层的厚度和所述保护膜层的厚度相等。

优选地，所述保护膜层位于所述半透区。

优选地，所述半透区的透过率介于10％至50％之间。

优选地，所述保护膜层的厚度与第一绝缘层和第二绝缘层的厚度和相等。