[发明专利]包括保护涂层的静电卡盘在审
| 申请号： | 201810677784.X | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110444503A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 金炫进;朴乘范;金钟植 | 申请（专利权）人： | 阿普罗技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张海涛;于辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电卡盘 上绝缘层 绝缘层 电极层 有机/无机复合材料 防止损坏 图案形式 下绝缘层 前表面 基层 修复 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有保护涂层的静电卡盘，包括：
基层；
形成在基层上的下绝缘层；
在下绝缘层上以图案形式形成的电极层；
形成在电极层上的上绝缘层；和
形成在上绝缘层的整个前表面上的保护涂层。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中所述保护涂层包含树脂、固化剂和无机化合物。
3.根据权利要求2所述的静电卡盘，其中所述无机化合物包括选自SiC、B4C、AlC、TiC、Si3N4、AION、TiN、AlN、TiB2、Al2O3、MgO、SiO2、Y2O3、ZrO2、CeO2、TiO2、BxCy、BN、YAG和AlF3中的一种或它们中两种或更多种的混合物。
4.如权利要求2所述的静电卡盘，其中所述树脂包括环氧树脂。
5.如权利要求2所述的静电卡盘，其中所述固化剂包括低温热固化剂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿普罗技术公司，未经阿普罗技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810677784.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：上下料设备及其盖板循环机构
- 下一篇：半导体装置组合件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
