[发明专利]包括保护涂层的静电卡盘在审
申请号: | 201810677784.X | 申请日: | 2018-06-27 |
公开(公告)号: | CN110444503A | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 金炫进;朴乘范;金钟植 | 申请(专利权)人: | 阿普罗技术公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 张海涛;于辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电卡盘 上绝缘层 绝缘层 电极层 有机/无机复合材料 防止损坏 图案形式 下绝缘层 前表面 基层 修复 | ||
本发明公开了一种包括保护涂层的静电卡盘,该保护涂层能够防止损坏绝缘层并且由于在上绝缘层上设置有机/无机复合材料的保护涂层而能够容易修复。具有保护涂层的静电卡盘包括基层、形成在基层上的下绝缘层、形成在下绝缘层上的图案形式的电极层、形成在电极层上的上绝缘层、和形成在上绝缘层的整个前表面上的保护涂层。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年5月4日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0051988号的权益,其全部内容通过引用并入本文。
背景技术
1.技术领域
本发明涉及一种静电卡盘(electrostatic chuck),更具体地说,涉及一种具有保护涂层的静电卡盘,其可以防止损坏绝缘层并且能够容易修复,原因在于在上绝缘层上提供有机/无机复合材料保护涂层。
2.相关技术的描述
近来,在下一代半导体和显示面板处理设备中,使用静电力的静电卡盘被用作固定晶圆或玻璃基板的核心部分。如图1所示,普通静电卡盘1具有这样的结构,其中在基础材料10中形成两个或更多个电介质层20和30,并且电极40插入在电介质层20和30之间。
在静电卡盘中,当对具有导电性的电极40施加直流电压时,由于电介质层20和30的极化现象,在晶圆或玻璃基板即待处理目标中出现相反的极性。因此,通过在晶圆或玻璃基板与电介质层之间发生的静电力来固定晶圆或玻璃基板,即待处理目标。
根据电介质层的类型,静电卡盘可以基本上分成使用陶瓷层作为电介质层的陶瓷静电卡盘和使用诸如聚酰亚胺的膜材料作为电介质层的PI卡盘。
陶瓷静电卡盘具有以下问题:当发生外部强烈冲击时,由于陶瓷层独有的高硬度和脆性,陶瓷材料产生裂纹。
PI卡盘包括具有优异电特性的膜层,但是具有这样的问题:在工艺过程中对于异物或直接接触的耐久性非常低,原因在于机械特性即作为固有物理性质的硬度和强度都非常低。具体而言,根据近年来基板大型化的趋势,为了增加夹持力,上电介质层的厚度趋向于最小化。因此,脆性的这种机械特性成为一个严重的问题。
发明内容
本发明的一个目的是提供具有保护涂层的静电卡盘,其能够防止损坏绝缘层并且能够容易修复,原因在于在上绝缘层上提供有机/无机复合材料的保护涂层。
一方面,具有保护涂层的静电卡盘包括基层,形成在基层上的下绝缘层,形成在下绝缘层上的图案形式的电极层,形成在电极层上的上绝缘层,以及形成在上绝缘层的整个前表面上的保护涂层。
此外,在本发明的一个实施方案中,保护涂层可以包括树脂、固化剂和无机化合物。
此外,在本发明的一个实施方案中,无机化合物可以包括选自SiC、B4C、AlC、TiC、Si3N4、AION、TiN、AlN、TiB2、Al2O3、MgO、SiO2、Y2O3、ZrO2、CeO2、TiO2、BxCy、BN、YAG、和AlF3中一种或它们中两种或更多种的混合物。
此外,在本发明的一个实施方案中,树脂可以包括环氧树脂。
此外,在本发明的一个实施方案中,固化剂可以包括低温热固化剂。
此外,在本发明的一个实施方案中,上电介质层和下电介质层可以由陶瓷或绝缘膜制成。
在本发明的一个实施方案中,上电介质层和下电介质层可以由聚酰亚胺制成。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造