[发明专利]COA型阵列基板及其制作方法在审
| 申请号： | 201810679386.1 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN108873519A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李兰艳 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 彩色光阻层 抗反射层 衬底基板 阵列基板 光刻胶材料 关键尺寸均匀度 几何结构 曝光能量 曲线效应 钝化层 反射光 光分量 均一性 焦距 分辨率 摆动 凹缺 构型 相移 制程 制作 曝光 缓解 | ||
1.一种COA型阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的TFT层(20)、设于所述TFT层(20)上的抗反射层(30)以及设于所述抗反射层(30)上的彩色光阻层(40)。
2.如权利要求1所述的COA型阵列基板，其特征在于，所述抗反射层(30)包括共混型材料、主链型材料或接枝型材料。
3.如权利要求2所述的COA型阵列基板，其特征在于，所述接枝型材料包括聚合物主链及接枝于所述聚合物主链上的多个吸光基团。
4.如权利要求3所述的COA型阵列基板，其特征在于，所述吸光基团包括吸收波长为200-400um的光线的吸光材料。
5.如权利要求1所述的COA型阵列基板，其特征在于，所述TFT层(20)包括设于所述衬底基板(10)上的第一金属层(21)、设于所述第一金属层(21)上的绝缘层(22)、设于所述绝缘层(22)上的有源层(23)以及设于所述有源层(23)上的第二金属层(24)。
6.如权利要求5所述的COA型阵列基板，其特征在于，还包括设于所述彩色光阻层(40)上的保护层(50)以及设于所述保护层(50)上的像素电极(60)，所述像素电极(60)通过一贯穿抗反射层(30)、彩色光阻层(40)及保护层(50)的过孔(51)与第二金属层(24)接触。
7.如权利要求6所述的COA型阵列基板，其特征在于，所述衬底基板(10)的材料为玻璃；所述第一金属层(21)和第二金属层(24)的材料均为铝、铜、铝合金及铜合金中的一种；所述抗反射层(30)的厚度为1-5um；所述彩色光阻层(40)包括红色色阻、绿色色阻及蓝色色阻；所述保护层(50)的材料为氮化硅、氧化硅或有机透明光阻。
8.一种COA型阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成TFT层(20)；
步骤S2、在所述TFT层(20)上形成抗反射层(30)；
步骤S3、在所述抗反射层(30)上形成彩色光阻层(40)。
9.如权利要求8所述的COA型阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1具体的步骤为：通过物理气相沉积在所述衬底基板(10)上形成一层第一金属膜层并对该第一金属膜层进行图案化形成第一金属层(21)；通过蒸镀在第一金属层(21)上形成绝缘层(22)；通过化学气相沉积在所述绝缘层(22)上形成一层第二金属膜层并对该第二金属膜层进行图案化形成有源层(23)；通过物理气相沉积在所述有源层(23)上形成一层第三金属膜层并对该第三金属膜层进行图案化形成第二金属层(24)；所述第一金属层(21)、绝缘层(22)、有源层(23)以及第二金属层(24)构成TFT层(20)。
10.如权利要求8所述的COA型阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括步骤S4、通过蒸镀在所述彩色光阻层(40)上形成保护层(50)，并通过等离子体对抗反射层(30)、彩色光阻层(40)及保护层(50)进行干蚀刻，得到一贯穿抗反射层(30)、彩色光阻层(40)及保护层(50)的过孔(51)；
步骤S5、在所述保护层(50)上形成像素电极(60)；所述像素电极(60)通过该过孔(51)与第二金属层(24)接触。
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