[发明专利]COA型阵列基板及其制作方法在审
申请号: | 201810679386.1 | 申请日: | 2018-06-27 |
公开(公告)号: | CN108873519A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 李兰艳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 彩色光阻层 抗反射层 衬底基板 阵列基板 光刻胶材料 关键尺寸均匀度 几何结构 曝光能量 曲线效应 钝化层 反射光 光分量 均一性 焦距 分辨率 摆动 凹缺 构型 相移 制程 制作 曝光 缓解 | ||
本发明提供一种COA型阵列基板及其制作方法。该COA型阵列基板包括:衬底基板、设于所述衬底基板上的TFT层、设于所述TFT层上的抗反射层以及设于所述抗反射层上的彩色光阻层,该抗反射层通过在彩色光阻层的光刻胶材料的曝光时产生相移光分量减弱反射光,能有效增加彩色光阻层的光刻胶材料的曝光能量范围和焦距,降低衬底基板及TFT层所构成的基体的几何结构差异对彩色光阻层关键尺寸均匀度的影响,缓解基体的构型导致彩色光阻层厚度不同而引起的摆动曲线效应和凹缺效应,从而提高彩色光阻层关键尺寸的均一性以及彩色光阻层的分辨率,并且该抗反射层还能直接代替现有技术中形成于TFT层与彩色光阻层之间的钝化层,简化制程,节省成本。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种COA型阵列基板及其制作方法。
背景技术
薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)是目前液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay,LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode,AMOLED)中的主要驱动元件,直接关系平板显示装置的显示性能。
现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器,其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管基板(Thin FilmTransistor Array Substrate,TFT Array Substrate)与彩色滤光片(Color Filter,CF)基板之间灌入液晶分子,并在两片基板上分别施加像素电压和公共电压,通过像素电压和公共电压之间形成的电场控制液晶分子的旋转方向,以将背光模组的光线折射出来产生画面。
随着光电技术的蓬勃发展,光刻技术向着更高分辨率的方向迈进,要求红绿蓝子像素的线宽越来越小。液晶显示面板中制作红色色阻、绿色色阻及蓝色色阻等光刻胶形成的图形由于驻波效应,摇摆效应和凹缺效应等影响到光刻胶的成型状况,例如驻波效应使光刻胶在曝光过程中,透射光与反射光之间会发生干涉,这种相同频率的光波之间的干涉会在光刻胶的曝光区域内形成驻波,导致光刻胶在显影后会形成波浪状的不平整侧壁。尤其是现在采用的将彩色滤光片制作在阵列基板上(Color-filter On Array,COA)的技术,将隔垫物制作在阵列基板上(Post Spacer On Array,POA)的技术液晶显示器中表现尤为显著。
发明内容
本发明的目的在于提供一种COA型阵列基板,能够提高彩色光阻层关键尺寸的均一性以及彩色光阻层的分辨率。
本发明的目的还在于提供一种COA型阵列基板的制作方法,能够提高彩色光阻层关键尺寸的均一性以及彩色光阻层的分辨率。
为实现上述目的,本发明提供了一种COA型阵列基板,包括:衬底基板、设于所述衬底基板上的TFT层、设于所述TFT层上的抗反射层以及设于所述抗反射层上的彩色光阻层。
所述抗反射层包括共混型材料、主链型材料或接枝型材料。
所述接枝型材料包括聚合物主链及接枝于所述聚合物主链上的多个吸光基团。
所述吸光基团包括吸收波长为200-400um的光线的吸光材料。
所述TFT层包括设于所述衬底基板上的第一金属层、设于所述第一金属层上的绝缘层、设于所述绝缘层上的有源层以及设于所述有源层上的第二金属层。
所述COA型阵列基板还包括设于所述彩色光阻层上的保护层以及设于所述保护层上的像素电极,所述像素电极通过一贯穿抗反射层、彩色光阻层及保护层的过孔与第二金属层接触。
所述衬底基板的材料为玻璃;所述第一金属层和第二金属层的材料均为铝、铜、铝合金及铜合金中的一种;所述抗反射层的厚度为1-5um;所述彩色光阻层包括红色色阻、绿色色阻及蓝色色阻;所述保护层的材料为氮化硅、氧化硅或有机透明光阻。
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