[发明专利]一种光伏芯片的透光处理方法

权利要求书

1.一种光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，所述透光处理方法包括：

在待处理的光伏芯片的发电膜层组上形成具有镂空区域的刻蚀保护层；其中，所述待处理的光伏芯片包括透明衬底以及设置在所述透明衬底上的发电膜层组；

去除所述发电膜层组中与所述镂空区域对应的部分，以使所述透明衬底中与所述镂空区域对应的部分露出；

去除所述刻蚀保护层，形成可透光的光伏芯片。

2.根据权利要求1所述的光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，在待处理的光伏芯片的发电膜层组上形成具有镂空区域的刻蚀保护层，具体包括：

采用丝网印刷工艺在所述待处理的光伏芯片的发电膜层组上形成具有镂空区域的刻蚀保护层。

3.根据权利要求2所述的光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，在形成具有镂空区域的所述刻蚀保护层后，还包括：固化所述刻蚀保护层。

4.根据权利要求3所述的光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，固化所述刻蚀保护层包括：采用紫外UV光固化所述刻蚀保护层。

5.根据权利要求4所述的光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，采用紫外UV光固化时，紫外线的光照度为800～1500mJ/cm²。

6.根据权利要求4所述的光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，采用紫外UV光固化时，紫外线的光源与所述刻蚀保护层表面之间的距离为1～200mm，优选的，所述紫外线的光源与所述刻蚀保护层表面之间的距离为5～100mm。

7.根据权利要求2所述的光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，所述刻蚀保护层为油墨层，所述油墨层的厚度为30～60μm。

8.根据权利要求2所述的光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，所述刻蚀保护层为UV油墨层。

9.根据权利要求2所述的光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，去除所述发电膜层组中与所述镂空区域对应的部分包括：朝向所述发电膜层组中与所述镂空区域对应的位置喷砂或者喷腐蚀剂，以去除与所述镂空区域对应的所述发电膜层组。

10.根据权利要求9所述的光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，所述喷砂采用的喷射压力为0.2～0.6MPa。

11.根据权利要求9或10所述的光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，所述喷砂采用的砂粒的目数大于等于320目。

12.根据权利要求7所述的光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，去除所述油墨层包括：采用浓度为0.1％～0.5％的KOH溶液或0.1％～0.5％的NaOH溶液清洗所述油墨层。