[发明专利]一种光伏芯片的透光处理方法

说明书

本发明公开一种光伏芯片的透光处理方法，涉及光伏芯片技术领域，为提高去除发电膜层组的稳定性，降低成本而发明。所述光伏芯片的透光处理方法包括：在待处理的光伏芯片的发电膜层组上形成具有镂空区域的刻蚀保护层；其中，所述待处理的光伏芯片包括透明衬底以及设置在所述透明衬底上的发电膜层组；去除所述发电膜层组中与所述镂空区域对应的部分；去除所述刻蚀保护层，形成可透光的光伏芯片。本发明将光伏芯片的透光处理方法用于制备可透光的光伏芯片。

技术领域

本发明涉及光伏芯片技术领域，尤其涉及一种光伏芯片的透光处理方法。

背景技术

目前，在光伏芯片透光的制备工艺中，大部分采用脉宽为100ns、功率为1000Wat的红外激光器对位于透明衬底一侧的发电膜层组进行局部刻蚀，进而使位于刻蚀掉的发电膜层组一侧的透明衬底外露，最终使整个光伏芯片透光，采用激光器刻蚀的缺点是：发电膜层组在短时间内接受激光辐照的热量，熔化并重新固化，由于辐照温度较高，容易伤及到不需要除去的发电膜层组，造成刻蚀稳定性差，且具体刻蚀时，需要对激光波长、工作功率和刻蚀速度等工艺参数进行调节控制，造成工艺方法复杂，同时，激光器价格昂贵，使该制造成本高。

发明内容

本发明的实施例提供一种光伏芯片的透光处理方法，能够稳定的将需要去除的发电膜层组刻蚀掉，不会伤及周围不需要刻蚀的发电膜层组，且方法简单，便于操作，成本低。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种光伏芯片的透光处理方法，所述透光处理方法包括：

在待处理的光伏芯片的发电膜层组上形成具有镂空区域的刻蚀保护层；其中，所述待处理的光伏芯片包括透明衬底以及设置在所述透明衬底上的发电膜层组；

去除所述发电膜层组中与所述镂空区域对应的部分，以使所述透明衬底中与所述镂空区域对应的部分露出；

去除所述刻蚀保护层，形成可透光的光伏芯片。

本发明实施例提供的光伏芯片的透光处理方法，由于首先在发电膜层组上形成了镂空的刻蚀保护层，该刻蚀保护层可在去除与所述镂空区域对应的发电膜层组时，对不需要去除的发电膜层组部分进行有效保护，最终使发电膜层组能够透光的部分与初始要求一致，不会出现扩大透光区域的现象。

可选的，在待处理的光伏芯片的发电膜层组上形成具有镂空区域的刻蚀保护层，具体包括：

采用丝网印刷工艺在所述待处理的光伏芯片的发电膜层组上形成具有镂空区域的刻蚀保护层。可选的，在形成具有镂空区域的所述刻蚀保护层后，还包括：固化所述刻蚀保护层。

可选的，固化所述刻蚀保护层包括：采用紫外UV()光固化所述刻蚀保护层。

可选的，采用紫外UV光固化时，紫外线的光照度为800～1500mJ/cm²。

可选的，采用紫外UV光固化时，紫外线的光源与所述刻蚀保护层表面之间的距离为1～200mm，优选的，所述紫外线的光源与所述刻蚀保护层表面之间的距离为5～100mm。

可选的，所述刻蚀保护层为油墨层，所述油墨层的厚度为30～60μm。

可选的，所述油墨层为UV油墨层。

可选的，所述刻蚀保护层为添加了高分子预聚物，光引发剂，硼砂，膨润土，二氧化硅，纳米分子筛等组分的成膜物形成的膜层。

可选的，去除所述发电膜层组中与所述镂空区域对应的部分包括：朝向所述发电膜层组中与所述镂空区域对应的位置喷砂或者喷腐蚀剂，以去除与所述镂空区域对应的所述发电膜层组。

可选的，所述喷砂采用的喷射压力为0.2～0.6MPa。