[发明专利]一种含铟涂层阻隔有害光线的玻璃膜层及其制造方法在审
| 申请号： | 201810681899.6 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN108863102A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 曾小绵;叶光岱;陈天宝;卢小刚 | 申请（专利权）人： | 广东旗滨节能玻璃有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/36 | 分类号： | C03C17/36 |
| 代理公司： | 广州凯东知识产权代理有限公司 44259 | 代理人： | 唐传妹 |
| 地址： | 517300 广东省河*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铟涂层 阻隔 玻璃膜层 膜层结构 阻挡层 玻璃 钢化 基层电介质组合层 上层电介质组合层 电介质组合层 低辐射率 低面电阻 电子辐射 高耐热性 膜层材质 强化处理 面电阻 吸收性 新工艺 紫外线 顶层 夹层 单片 热弯 制造 | ||
1.一种含铟涂层阻隔有害光线的玻璃膜层，其特征在于：
该玻璃的膜层结构依次为玻璃、基层电介质组合层、含铟涂层、第一阻挡层、上层电介质组合层、顶层电介质组合层；其中，第一阻挡层膜层材质为吸收性大于含铟涂层的材料。
2.如权利要求1所述的一种含铟涂层阻隔有害光线的玻璃膜层，其特征在于，所述含铟涂层由包含掺Sn的In2O3构成。
3.如权利要求2所述的一种含铟涂层阻隔有害光线的玻璃膜层，其特征在于，所述含铟涂层材料掺Sn的In2O3构成比例如下表所示：
4.如权利要求2所述的一种含铟涂层阻隔有害光线的玻璃膜层，其特征在于，所述含铟涂层材料掺Sn的In2O3的In2O3杂质含量如下表所示：
5.如权利要求1所述的一种含铟涂层阻隔有害光线的玻璃膜层，其特征在于，所述基层电介质组合层和上层电介质组合层均由包含SiBOxNy的氮氧化物构成，基层电介质组合层包括第一基层电介质组合层和第二基层电介质组合层，上层电介质组合层包括第一上层电介质组合层和第二上层电介质组合层。
6.如权利要求1所述的一种含铟涂层阻隔有害光线的玻璃膜层，其特征在于，所述上层电介质组合层的膜厚均匀性偏差≤1％，氧氮O:N＝15:1。
7.如权利要求1所述的一种含铟涂层阻隔有害光线的玻璃膜层，其特征在于，所述第一阻挡层由包含NiCr、NiV、Cr、NiZr和TiZr的不完全氧化物中的至少一种构成。
8.如权利要求1所述的一种含铟涂层阻隔有害光线的玻璃膜层，其特征在于，所述顶层电介质组合层由包含ZrTi或Zr的氧化物构成。
9.一种含铟涂层阻隔有害光线的玻璃膜层的制造方法，其特征在于，包括依次沉积各膜层的步骤，具体如下：
S1、清洗玻璃，干燥后置于磁控溅射区；
S2、中频电源加旋转阴极溅射沉积第一基层电介质组合层；
S3、中频电源加旋转阴极溅射沉积第二基层电介质组合层；
S4、双极加脉冲电源溅射沉积含铟涂层；
S5、双极加脉冲电源溅射沉积第一阻挡层；
S6、中频电源加旋转阴极溅射沉积第一上层电介质组合层；
S7、中频电源加旋转阴极溅射沉积第二上层电介质组合层；
S8、中频电源加旋转阴极溅射沉积顶层电介质组合层；
其中，所述第一阻挡层膜层材质为吸收性大于含铟涂层的材料。
10.如权利要求9所述的一种含铟涂层阻隔有害光线的玻璃膜层的制造方法，其特征在于，所述中频电源加旋转阴极溅射是在氩氮或氩氧氛围中进行，频率为40kHz，功率为15～75kW；所述双极加脉冲电源溅射是在氩气氛围中进行，功率为1～30kW。
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