[发明专利]处理基板边缘缺陷的等离子体系统及方法

权利要求书

1.一种处理基板边缘缺陷的等离子体系统，包含：

一等离子体源，包含至少一等离子体产生单元，其中，等离子体源提供待处理区域一具温度梯度的热源以及一反应性化学成份，用以对该基板的边缘进行热处理以及改质；

一承载装置，用以输送至少一基板相对于该等离子体源移动，以进出一等离子体作用区，其中，承载装置面对等离子体源侧以绝缘层包覆，用于避免影响等离子体束的流向，以使等离子体束能完全作用于侧缘；

其中，该基板具有待处理区域，该等离子体源是于该等离子体作用区内对于该待处理区域提供一等离子体束，且该等离子体束的行进方向实质上平行于该基板的表面；

其中，该等离子体源包含至少一列呈线性排列的多个等离子体产生单元，该基板具有朝向该多个等离子体产生单元的至少一侧缘，该基板的该侧缘为直形侧缘，每一该等离子体产生单元所产生的等离子体束的行进方向实质上平行于该基板的表面且对准该侧缘的几何中心，该等离子体源的移动方向平行于该基板的该侧缘的切线方向。

2.如权利要求1所述的处理基板边缘缺陷的等离子体系统，其中该承载装置具有一夹盘，用以夹持该基板。

3.如权利要求1所述的处理基板边缘缺陷的等离子体系统，其中该基板具有朝向该等离子体束的一侧缘，该等离子体束的行进方向实质上平行于该基板的表面且对准该侧缘的几何中心，该等离子体源的移动方向平行于该基板的该侧缘的切线方向。

4.如权利要求3所述的处理基板边缘缺陷的等离子体系统，其中该等离子体束的行进方向实质上垂直于该侧缘。

5.如权利要求2所述的处理基板边缘缺陷的等离子体系统，其中该基板具有朝向该等离子体的一侧缘，该侧缘与该等离子体源之间具有间距P，该间距P为0.2公分至1.5公分。

6.如权利要求5所述的处理基板边缘缺陷的等离子体系统，其中该夹盘与该等离子体源之间具有间距Q，该间距Q大于该间距P，且该间距Q与该间距P的差值大于0.3公分。

7.如权利要求1所述的处理基板边缘缺陷的等离子体系统，其中该基板相对于该等离子体源的移动速度为0.1公分/秒至5公分/秒。

8.如权利要求1所述的处理基板边缘缺陷的等离子体系统，其中每一该等离子体产生单元所产生的等离子体束的行进方向实质上垂直于该侧缘。

9.如权利要求8所述的处理基板边缘缺陷的等离子体系统，其中每一该等离子体产生单元与该侧缘之间距相同。

10.如权利要求8所述的处理基板边缘缺陷的等离子体系统，其中该多个等离子体产生单元是等距线性阵列。

11.一种处理基板边缘缺陷的方法，包含：

设置一等离子体源，该等离子体源包含至少一等离子体产生单元；

设置一承载装置以输送至少一基板相对于该等离子体源移动，其中，该承载装置面对等离子体源侧以绝缘层包覆，用于避免影响等离子体束的流向，以使等离子体束能完全作用于侧缘，该等离子体源的等离子体束行进方向实质上平行于该基板的表面，该基板具有至少一待处理区域；

移动该基板进入一等离子体作用区，通过该等离子体源提供该待处理区域一具温度梯度(Thermal gradient)的热源以及一反应性化学成份，用以对于该基板的边缘进行热处理以及改质；

其中，该等离子体源包含至少一列呈线性排列的多个等离子体产生单元，该基板具有朝向该多个等离子体产生单元的至少一侧缘，该基板的该侧缘为直形侧缘，每一该等离子体产生单元所产生的等离子体束的行进方向实质上平行于该基板的表面且对准该侧缘的几何中心，该等离子体源的移动方向平行于该基板的该侧缘的切线方向。