[发明专利]偏振片的制作方法及偏振片有效

专利信息
申请号: 201810686014.1 申请日: 2018-06-27
公开(公告)号: CN108873138B 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 王海军 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: G02B5/30 分类号: G02B5/30;G03F7/09;G03F7/16
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 偏振 制作方法
【权利要求书】:

1.一种偏振片的制作方法,其特征在于,包括步骤:

提供一基板,在所述基板上形成光刻胶层;所述光刻胶层包括多个平行间隔设置的光刻胶柱;在所述光刻胶层上形成嵌段共聚物层,所述嵌段共聚物层的组分包括第一聚合物链段及第二聚合物链段,所述第一聚合物链段与第二聚合物链段聚合在一起得到嵌段共聚物;所述嵌段共聚物层产生微观相分离,形成间隔交替设置的第一相区与第二相区,所述第一相区与所述第二相区的排布方向与所述光刻胶柱的排布方向相同,且所述第一相区与所述第二相区的延伸方向相同;所述光刻胶对所述第一聚合物链段的润湿性与所述光刻胶对所述第二聚合物链段的润湿性不同,所述第一相区或所述第二相区与所述光刻胶柱贴合;所述第一相区的组成材料为所述第一聚合物链段,所述第二相区的组成材料为所述第二聚合物链端;

对分相后的所述嵌段共聚物层进行烘烤;

对所述嵌段共聚物层进行离子刻蚀,刻蚀去除所述第二相区,并保留所述第一相区;

将所述光刻胶柱从所述基板上剥离;

在所述基板上沉积金属材料,所述金属材料覆盖所述第一相区及未被所述第一相区覆盖的基板;

再一次对所述嵌段共聚物层进行离子刻蚀,刻蚀去除所述第一相区,同时除去所述第一相区上的金属材料,以得到金属层,所述金属层包括多条平行间隔设置的金属线栅。

2.如权利要求1所述的偏振片的制作方法,其特征在于,所述离子刻蚀对所述第二相区的刻蚀速度大于所述第一相区的刻蚀速度,使得刻蚀去除所述第二相区时,所述第一相区仍保留下来。

3.如权利要求1所述的偏振片的制作方法,其特征在于,所述嵌段共聚物为有规嵌段共聚物。

4.如权利要求1或3所述的偏振片的制作方法,其特征在于,所述第一聚合物链段为苯乙烯,所述第二聚合物链段为二甲基硅氧烷;或者,所述第一聚合物链段为乳酸,所述第二聚合物链段为二甲基硅氧烷;或者,所述第一聚合物链段为苯乙烯,所述第二聚合物链段为甲基丙烯酸甲酯;或者,所述第一聚合物链段为苯乙烯,所述第二聚合物链段为环氧乙烷;或者,所述第一聚合物链段为二甲基硅氧烷,所述第二聚合物为甲基丙烯酸甲酯;或者,所述第一聚合物链段为聚苯乙烯,所述第二聚合物为聚丁二烯。

5.如权利要求4所述的偏振片的制作方法,其特征在于,所述第一聚合物链段为苯乙烯,所述第二聚合物链段为环氧乙烷;烘烤温度为100℃-250℃,烘烤时间为20min-200min。

6.如权利要求1所述的偏振片的制作方法,其特征在于,所述嵌段共聚物层产生的微观相分离尺寸范围为10nm-80nm之间,得到的所述金属层的相邻的金属线栅之间的距离及所述金属线栅的线宽均为10nm-80nm之间。

7.如权利要求1所述的偏振片的制作方法,其特征在于,所述光刻胶对所述第一聚合物链段的润湿性强于所述光刻胶对所述第二聚合物链段的润湿性,所述第一相区与所述光刻胶柱贴合;或者,所述光刻胶对所述第二聚合物链段的润湿性强于所述光刻胶对所述第一聚合物链段的润湿性,所述第二相区与所述光刻胶柱贴合。

8.如权利要求1所述的偏振片的制作方法,其特征在于,所述离子刻蚀为氧离子刻蚀。

9.如权利要求1所述的偏振片的制作方法,其特征在于,还包括步骤;

将所述金属层与所述基板进行剥离,得到的所述金属层为所述偏振片。

10.一种偏振片,其特征在于,通过如权利要求1-9任一项所述的偏振片的制作方法制得,包括多条平行间隔设置的金属线栅,相邻两条金属线栅之间的距离及所述金属线栅的线宽均为10-80nm。

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