[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底上的有源区，所述有源区包括源极/漏极区域；

栅极结构，位于所述有源区上方，所述源极/漏极区域靠近所述栅极结构；

间隔件部件，具有沿着所述栅极结构的侧壁的第一部分并且具有沿着所述源极/漏极区域的第二部分，其中，所述间隔件部件的第一部分包括沿着所述栅极结构的侧壁的块状间隔件层，其中，所述间隔件部件的第二部分包括所述块状间隔件层和处理的密封间隔件层，所述处理的密封间隔件层沿着所述源极/漏极区域设置并且位于所述块状间隔件层和所述源极/漏极区域之间；以及

接触蚀刻停止层，位于所述间隔件部件上，

其中，所述处理的密封间隔件层具有比所述块状间隔件层更大的膜密度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

层间介电层，位于所述接触蚀刻停止层上。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述块状间隔件层具有小于4的介电常数。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述块状间隔件层是不含氮的碳氧化硅材料。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述处理的密封间隔件层具有大于所述块状间隔件层的介电常数。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极/漏极区域在所述间隔件部件之上延伸。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极结构包括设置在高介电常数层上的金属栅电极。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触蚀刻停止层是含氮化硅的材料。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述块状间隔件层具有大于所述处理的密封间隔件层的厚度。

10.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

通过使用第一工艺气体的第一原子层沉积工艺在衬底上形成密封间隔件层；

通过第二工艺气体等离子体处理所述密封间隔件层以形成处理的密封间隔件层，其中，所述第一工艺气体与所述第二工艺气体不同；

通过使用所述第一工艺气体的第二原子层沉积工艺在所述处理的密封间隔件层上形成块状间隔件层；以及

沿着栅极结构的侧壁将所述处理的密封间隔件层和所述块状间隔件层图案化成栅极间隔件部件，

其中，所述处理的密封间隔件层具有比所述块状间隔件层更大的膜密度。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，等离子体处理所述密封间隔件层还包括：

通过将微波功率施加至放置所述衬底的等离子体工艺室来形成所述第二工艺气体的等离子体。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一工艺气体包括含硅和碳前体和含氧前体。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述含硅和碳前体是不含氮的含硅和碳前体。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述含氧前体包括水蒸气。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述含硅和碳前体具有线性Si-C-Si键合结构。

16.根据权利要求10所述的方法，其中，所述块状间隔件层具有大于所述处理的密封间隔件层的厚度。

17.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二工艺气体包括含氢气体、惰性气体或它们的组合。