[发明专利]一种触控层的制作方法及设备有效
申请号: | 201810689115.4 | 申请日: | 2018-06-28 |
公开(公告)号: | CN108776423B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 刘威;崔子龙;俎阿敏;吴德生 | 申请(专利权)人: | 信利光电股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G06F3/041;C23C14/34;C23C14/08 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 王仲凯 |
地址: | 516600 广东省汕*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 触控层 制作方法 设备 | ||
1.一种触控层的制作方法,其特征在于,包括:
向光刻胶层上溅镀透光膜层;
采用曝光光源通过铬板膜面及所述透光膜层对所述光刻胶层进行曝光处理,使所述铬板膜面上的图案转移至所述光刻胶层上;其中,所述铬板膜面与所述透光膜层直接接触;
将所述铬板从所述透光膜层上移开,并去除位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层,得到带有所述图案的光刻胶层;
其中,所述去除位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层的过程为:
采用化学蚀刻的方法对位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层进行蚀刻处理,以去除所述透光膜层;
所述向光刻胶层上溅镀透光膜层的过程为:
采用磁控溅镀的方式通过包含铌的氧化铟锡靶材将氧化铟锡溅镀至所述光刻胶层的表面形成氧化铟锡膜层;
在溅镀过程中,铌在氧气的气氛下会生成氧化铌,由于铌的作用使镀至光刻胶层表面的膜层为ITO和氧化铌的混合物,通过氧化铌和ITO的混合可以将镀出的ITO膜层的折射率调整为1.64—1.69的范围内,即使镀出的ITO膜层的折射率与光刻胶层的折射率一致。
2.根据权利要求1所述的触控层的制作方法,其特征在于,所述采用化学蚀刻的方法对位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层进行蚀刻处理,以去除所述透光膜层的过程为:
采用酸刻蚀的方式对位于曝光后的光刻胶层上的氧化铟锡膜层进行蚀刻处理,以去除所述氧化铟锡膜层。
3.根据权利要求1-2任意一项所述的触控层的制作方法,其特征在于,还包括通过酸蚀刻的方法对位于所述光刻胶层下方的金属层进行蚀刻处理,以便所述金属层形成具有所述图案的金属电极。
4.一种用于实现如权利要求1所述的触控层的制作方法的触控层的制作设备,其特征在于,包括:
溅镀装置,用于向光刻胶层上溅镀透光膜层;
曝光装置,用于采用曝光光源通过铬板膜面及所述透光膜层对所述光刻胶层进行曝光处理,使所述铬板膜面上的图案转移至所述光刻胶层上;其中,所述铬板膜面与所述透光膜层直接接触;
清洁装置,用于将所述铬板从所述透光膜层上移开,并去除位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层,得到带有所述图案的光刻胶层;
其中,所述清洁装置去除位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层的过程为:
采用化学蚀刻的方法对位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层进行蚀刻处理,以去除所述透光膜层。
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