[发明专利]一种触控层的制作方法及设备有效
申请号: | 201810689115.4 | 申请日: | 2018-06-28 |
公开(公告)号: | CN108776423B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 刘威;崔子龙;俎阿敏;吴德生 | 申请(专利权)人: | 信利光电股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G06F3/041;C23C14/34;C23C14/08 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 王仲凯 |
地址: | 516600 广东省汕*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 触控层 制作方法 设备 | ||
本发明实施例公开了一种触控层的制作方法及设备,包括向光刻胶层上溅镀透光膜层;采用曝光光源通过铬板膜面及透光膜层对光刻胶层进行曝光处理,使铬板膜面上的图案转移至光刻胶层上;其中,铬板膜面与透光膜层直接接触;将铬板从透光膜层上移开,并去除位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层,得到带有图案的光刻胶层。可见,本发明实施例在对光刻胶层进行曝光的过程中避免了铬板与光刻胶层的直接接触,从而避免光学胶层在曝光后出现图案断线现象的发生,在确保曝光精度的同时提高了触控层的制作良率。
技术领域
本发明实施例涉及电子产品制作技术领域,特别是涉及一种触控层的制作方法及设备。
背景技术
随着科技的发展,带有触摸功能的电子产品在生活中的应用越来越广泛。目前,玻璃结构的触控层的制作一般采用黄光工艺,并且采用非接触曝光的方式进行曝光。即铬板膜面与光刻胶层之间存在一定的间隙,由于光存在散射,间隙的存在使曝光时的实际受光区域会大于设计区域,极大的影响了触控层对精细线宽的要求。例如目前市场上的metalmesh等对线条要求在5um甚至是4um以下,如果采用非接触式曝光,对曝光机要求很高,并且设备及其昂贵,一般的非接触式曝光机很难满足。而采用接触式曝光的方式制作触摸屏时,铬板膜面需要与光刻胶直接接触,这种方式消除了间隙,可以在很大程度上提高曝光精度,但是,采用接触式曝光制作触控层时,光刻胶容易与铬板粘结,从而造成光刻胶上的图案断线,使触控层的制作良率降低。
鉴于此,如何提供一种解决上述技术问题的触控层制作方法及设备成为本领域技术人员目前需要解决的问题。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种触控层的制作方法及设备,在使用过程中能够避免光学胶层在曝光后出现图案断线现象的发生,在确保曝光精度的同时提高了触控层的制作良率。
为解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种触控层的制作方法,包括:
向光刻胶层上溅镀透光膜层;
采用曝光光源通过铬板膜面及所述透光膜层对所述光刻胶层进行曝光处理,使所述铬板膜面上的图案转移至所述光刻胶层上;其中,所述铬板膜面与所述透光膜层直接接触;
将所述铬板从所述透光膜层上移开,并去除位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层,得到带有所述图案的光刻胶层。
可选的,所述去除位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层的过程为:
采用化学蚀刻的方法对位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层进行蚀刻处理,以去除所述透光膜层。
可选的,所述向光刻胶层上溅镀透光膜层的过程为:
所述向光刻胶层上溅镀氧化铟锡膜层。
可选的,所述采用化学蚀刻的方法对位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层进行蚀刻处理,以去除所述透光膜层的过程为:
采用酸刻蚀的方式对位于曝光后的光刻胶层上的氧化铟锡膜层进行蚀刻处理,以去除所述氧化铟锡膜层。
可选的,所述向光刻胶层上溅镀氧化铟锡膜层的过程为:
采用磁控溅镀的方式将氧化铟锡溅镀至所述光刻胶层的表面形成氧化铟锡膜层。
可选的,所述采用磁控溅镀的方式将氧化铟锡溅镀至所述光刻胶层的表面形成氧化铟锡膜层的过程为:
采用磁控溅镀的方式通过包含铌的氧化铟锡靶材将氧化铟锡溅镀至所述光刻胶层的表面形成氧化铟锡膜层。
可选的,还包括通过酸蚀刻的方法对位于所述光刻胶层下方的金属层进行蚀刻处理,以便所述金属层形成具有所述图像的金属电极。
本发明实施例还提供了一种触控层的制作设备,包括:
溅镀装置,用于向光刻胶层上溅镀透光膜层;
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