[发明专利]一种小型化大通流容量压敏电阻器及其制备方法

说明书

本发明公开了一种小型化大通流容量压敏电阻器，包括氧化锌压敏电阻芯片和打扁的带“S”弯引线构成压敏本体，在压敏本体上内涂阻燃树脂后经过环氧粉末包封。其中，氧化锌压敏电阻芯片由氧化锌、三氧化二铋、三氧化二锑、四氧化三钴、三氧化二铬、三氧化二镍、氧化锰、氧化硼等构成，经高温烧结并制作电极，通过将引线成型为打扁+“S”弯，使引线与银层接触面积增加，银层各部分与引线的最短距离缩短，冲击时大电流比较均匀地通过银片，从而整体提高芯片的通流水平，同时，内涂阻燃树脂，隔绝银层附近的空气，使银层无法烧灼损坏。

技术领域

本发明涉及电子元器件制作工艺技术领域，尤其涉及一种小型化大通流容量压敏电阻器及其制备方法。

背景技术

压敏电阻器广泛应用于家用电器、电力仪表和设备、通讯、防雷设备、LED灯等领域。对于三相、单相电能表、电源柜、楼宇总电源箱和大型设备的保护用防雷压敏电阻器而言，其经受异常过电压、雷击、操作过电压更多、更大，这就需要大通流容量(8/20μS、2mS、10/1000μS电流波)的压敏电阻器起过压保护作用，同时由于安装空间和成本的原因，需要将产品做成小型化的。

发明内容

本发明的目的在于提供一种小型化大通流容量压敏电阻器及其制备方法，在不改变压敏电阻器正常保护水平指标的条件下，减小体积、节约成本。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种小型化大通流容量压敏电阻器的制备方法，包括如下步骤：

步骤一：称取氧化锌、三氧化二铋、三氧化二锑、四氧化三钴、三氧化二铬、三氧化二镍、氧化锰、氧化硼组成的混合物中加入去离子水进行球磨，得到流动性好的浆料并喷雾造粒，其中，氧化锌的质量分数比为91.8％～92％、三氧化二铋的质量分数比为3.1％～3.2％、三氧化二锑的质量分数比为3.1％～3.3％、四氧化三钴的质量分数比为1.1％～1.3％、氧化锰的质量分数比为0.3％～0.6％，氧化硼的质量分数比为0.05％～0.3％，三氧化二镍的质量分数比为0.1％～0.3％，三氧化二铬的质量分数比为0.1％～0.3％。

步骤二：采用目标小型化瓷片直径按烧结收缩率84％制作成型模具，将造粒料压制成生坯并烧结至目标压敏电压；

步骤三：丝网印刷低温压敏银浆制作电极，并曲线烧银处理；

步骤四：采用打扁的带“S”弯引线在银层上进行插片焊接得到压敏本体；

步骤五：在压敏本体上内涂阻燃树脂后经过环氧粉末包封得到小型化大通流容量压敏电阻器。

上述方案步骤二中，目标压敏电压采用的电压梯度为180V/mm。

上述方案步骤四中，打扁的带“S”弯引线采用软性镀锡铜线。

一种小型化大通流容量压敏电阻器，由氧化锌压敏电阻芯片和打扁的带“S”弯镀锡铜线构成的压敏本体，在所述压敏本体上内涂阻燃树脂后经过环氧粉末包封，所述氧化锌压敏电阻芯片由氧化锌、三氧化二铋、三氧化二锑、四氧化三钴、三氧化二铬、三氧化二镍、氧化锰、氧化硼等组成，经高温烧结并制作电极而成，其中，氧化锌的质量分数比为91.8％～92％、三氧化二铋的质量分数比为3.1％～3.2％、三氧化二锑的质量分数比为3.1％～3.3％、四氧化三钴的质量分数比为1.1％～1.3％、氧化锰的质量分数比为0.3％～0.6％，氧化硼的质量分数比为0.05％～0.3％，三氧化二镍的质量分数比为0.1％～0.3％，三氧化二铬的质量分数比为0.1％～0.3％。

上述方案中，所述氧化锌压敏电阻芯片的直径为22mm，所述打扁的带“S”弯镀锡铜线的直径为1.3mm。

本发明小型化大通流容量压敏电阻器具有以下有益效果：

1、将压敏高压配方正交试验，合理优化，在其他参数不变的情况下选择出通流能力最高、高温负荷性能合格的配方；