[发明专利]具有用于减少串扰的屏蔽结构的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

管芯；

模制材料，位于所述管芯周围；

第一介电层，位于所述管芯和所述模制材料上方，所述第一介电层具有面向所述管芯的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

导线，沿着所述第一介电层的第二表面；

第二介电层，位于所述第一介电层和所述导线上方，所述第二介电层具有面向所述管芯的第三表面和与所述第三表面相对的第四表面；

第一导电结构，至少与所述导线的第一部分横向隔开并且至少与所述导线的第一部分平行，其中，所述第一导电结构被配置为电接地或连接至电源；以及

第二导电结构，至少与所述导线的第一部分横向隔开并且至少与所述导线的第一部分平行，其中，所述导线的第一部分位于所述第一导电结构和所述第二导电结构之间，其中，所述第一导电结构的第一部分和所述第二导电结构的第一部分位于所述第一表面和所述第二表面之间，并且所述第一导电结构的第二部分和所述第二导电结构的第二部分位于所述第三表面和所述第四表面之间，并且其中，所述第一导电结构的第一部分的纵向轴线和所述第二导电结构的第一部分的纵向轴线平行于所述第一介电层的第一表面，所述第一导电结构的第一部分和所述第一导电结构的第二部分的中心轴线未对准，

通孔，设置在所述第一导电结构旁边并且电连接是所述第一导电结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导线具有第一高度，其中，所述第一导电结构和所述第二导电结构具有大于所述第一高度的第二高度，其中，所述第一高度和所述第二高度沿着垂直于所述模制材料的上表面的方向测量。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电结构和所述第二导电结构穿过所述第一介电层和所述第二介电层延伸。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电结构和所述第二导电结构的每个均包括位于所述第一介电层中的下接地沟槽和位于所述第二介电层中的上接地沟槽，所述下接地沟槽连接至所述上接地沟槽。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一导电结构的所述下接地沟槽和所述第二导电结构的所述下接地沟槽之间的距离与所述第一导电结构的所述上接地沟槽和所述第二导电结构的所述上接地沟槽之间的距离不同。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电结构包括穿过所述第一介电层延伸的第一接地沟槽，并且所述第二导电结构包括穿过所述第一介电层延伸的第二接地沟槽。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一导电结构还包括位于所述第二介电层中并且连接至所述第一接地沟槽的第一多个接地通孔，并且所述第二导电结构还包括位于所述第二介电层中并且连接至所述第二接地沟槽的第二多个接地通孔。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括位于所述第二介电层的第四表面上方的接地平面，其中，所述接地平面在所述导线、所述第一导电结构和所述第二导电结构上方延伸，并且其中，所述接地平面连接至所述第一多个接地通孔和所述第二多个接地通孔。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电结构包括穿过所述第二介电层延伸的第一接地沟槽，并且所述第二导电结构包括穿过所述第二介电层延伸的第二接地沟槽。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括位于所述第二介电层的第四表面上方的接地平面，其中，所述接地平面在所述导线、所述第一接地沟槽和所述第二接地沟槽上方延伸，并且其中，所述接地平面连接至所述第一接地沟槽和所述第二接地沟槽。