[发明专利]电阻式存储器及写入方法

权利要求书

1.一种电阻式存储器，其特征在于，包括：

一存储阵列，具有多个区块，每一区块具有多个存储单元；

一存储电路，储存多个计数值，其中每一计数值表示一相对应区块执行一写入操作的次数；

一控制电路，当一外部指令为一写入指令时，读取一写入位址所对应的区块的一计数值并根据该计数值产生一控制信号；

一电压产生电路，根据该控制信号提供一操作电压组；以及

一存取电路，根据该操作电压组存取该存储阵列。

2.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，更包括：

一计数电路，当该外部指令系为该写入指令时，调整该写入位址所对应的区块的计数值。

3.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，该电压产生电路根据该控制信号调整该操作电压组里的至少一电压。

4.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，该电压产生电路根据该控制信号调整提供该操作电压组的时间。

5.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，当该外部指令为该写入指令时，该存取电路读取该写入位址所对应的至少一存储单元所储存的一原始数据，该控制电路比较该原始数据及一使用者数据，用以产生一比较结果，该控制电路根据该比较结果调整该控制信号。

6.如权利要求5所述的电阻式存储器，其特征在于，该使用者数据具有多个位元，该存取电路根据该比较结果对该存储阵列的一第一存储单元群组进行一设定操作，且该存取电路根据该比较结果对该存储阵列的一第二存储单元群组进行一重置操作。

7.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，当该外部指令为该写入指令时，该控制电路比较该写入位址所对应的区块的计数值与一第一阈值，当该写入位址所对应的区块的计数值小于该第一阈值时，该控制电路令该控制信号的一电性特征等于一第一预设值，且当该写入位址所对应的区块的计数值大于等于该第一阈值时，该控制电路令该控制信号的该电性特征等于一第二预设值。

8.如权利要求7所述的电阻式存储器，其特征在于，当该写入位址所对应的区块的计数值大于等于该第一阈值时，该控制电路更比较该写入位址所对应的区块的计数值与一第二阈值，当该写入位址所对应的区块的计数值大于等于该第二阈值时，该控制电路令该控制信号的该电性特征等于一第三预设值。

9.一种写入方法，适用于一电阻式存储器，该电阻式存储器包括一存储阵列、一控制电路以及一存取电路，该控制电路接收一外部指令，用以控制该存取电路存取该存储阵列，该存储阵列具有多个区块，该写入方法包括：

判断该外部指令是否准备对该存储阵列进行一写入操作；

当该外部指令非对该存储阵列进行该写入操作时，产生一第一操作电压组至该存取电路；

当该外部指令对该存储阵列进行该写入操作时，读取一写入位址所对应的区块的一计数值，该计数值表示该写入位址所对应的区块执行该写入操作的次数；以及

根据该写入位址所对应的区块的计数值，产生一第二操作电压组至该存取电路。

10.如权利要求9所述的写入方法，其特征在于，更包括：

当该外部指令对该存储阵列进行的该写入操作完成后，调整该写入位址所对应的区块的计数值。

11.如权利要求9所述的写入方法，其特征在于，根据该写入位址所对应的区块的计数值，产生该第二操作电压组至该存取电路的步骤包括：

比较该写入位址所对应的区块的计数值与一第一阈值；

当该写入位址所对应的区块的计数值小于该第一阈值时，提供符合一第一预设条件的该第二操作电压组至该存取电路；以及

当该写入位址所对应的区块的计数值大于等于该第一阈值时，提供符合一第二预设条件的该第二操作电压组至该存取电路。