[发明专利]电阻式存储器及写入方法

说明书

本说明书公开一种电阻式存储器及写入方法，其中，所述电阻式存储器包括一存储阵列、一存储电路、一控制电路、一电压产生电路以及一存取电路。存储阵列具有多个区块。每一区块具有多个存储单元。存储电路储存多个计数值。每一计数值表示一相对应区块执行一写入操作的次数。当一外部指令为一写入指令时，控制电路根据该等计数值产生一控制信号。电压产生电路根据该控制信号提供一操作电压组。存取电路根据操作电压组存取存储阵列。

技术领域

本发明有关于一种储存装置，特别是有关于一种电阻式存储器及写入方法。

背景技术

非挥发性存储器具有存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此是许多电器产品维持正常操作所必备的存储器件。目前，电阻式随机存取存储器是业界积极发展的一种非挥发性存储器，其具有写入操作电压低、写入抹除时间短、记忆时间长、非破坏性读取、多状态存储、结构简单以及所需面积小等优点，在未来个人电脑和电子设备上极具应用潜力。

一般来说，电阻式随机存取存储器需要具有明显的感测窗(sense window)，使其具有明显的数据鉴别度。一种常规方法是，可通过在重置操作时施加较大的重置电压以得到明显的感测窗。然而，持续使用较大的重置电压进行重置操作虽可得到明显的感测窗，但却会使得装置快速劣化，降低装置的耐操度(endurance)。

发明内容

本发明提供一种电阻式存储器，包括一存储阵列、一存储电路、一控制电路、一电压产生电路以及一存取电路。存储阵列具有多个区块。每一区块具有多个存储单元。存储电路储存多个计数值。每一计数值表示一相对应区块执行一写入操作的次数。当一外部指令为一写入指令时，控制电路根据该等计数值产生一控制信号。电压产生电路根据该控制信号提供一操作电压组。存取电路根据操作电压组存取存储阵列。

本发明更提供一种写入方法，适用于一电阻式存储器。电阻式存储器包括一存储阵列、一控制电路以及一存取电路。控制电路接收一外部指令，用以控制存取电路存取存储阵列。存储阵列具有多个区块。本发明的写入方法包括：判断外部指令是否准备对存储阵列进行一写入操作；当外部指令非对存储阵列进行写入操作时，产生一第一操作电压组至存取电路；当外部指令对存储阵列进行写入操作时，读取一写入位址所对应的区块所对应的一计数值，其中该计数值表示写入位址所对应的区块执行写入操作的次数；以及根据写入位址所对应的区块的计数值，产生一第二操作电压组至该存取电路。

基于上述，本发明提供的电阻式存储器及写入方法可随着电阻式存储器执行写入操作的次数的增加而提供不同的操作电压组，故可在具有明显的感测窗的同时，减缓电阻式存储器劣化的速度。

附图说明

图1为本发明的电阻式存储器的一示意图；

图2为本发明的写入方法的一可能流程图；

图3为本发明的写入方法的另一可能流程图。

具体实施方式

为让本发明的目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出实施例，并配合所附图式，做详细的说明。

图1为本发明的电阻式存储器(resistive memory)的示意图。电阻式存储器100包括一存储阵列110、一存储电路120、一存取电路130、一电压产生电路140、一计数电路150以及一控制电路160。

存储阵列110具有以矩阵形式排列的多个存储单元。在本发明中，该多个存储单元被分组为多个区块(block)BL₀～BL_N，其中，每一区块的存储单元的数量可能相同或不同于另一区块的存储单元的数量。举例而言，区块BL₀～BL_N的每一具有32个存储单元，但本发明不限于此。在其它实施例中，区块BL₀～BL_N的每一个具有更多或更少的存储单元。