[发明专利]接合电子元件的方法有效
| 申请号： | 201810695129.7 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN110660679B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 曾晨威;李宗桦;李少谦 | 申请（专利权）人： | 欣兴电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁 |
| 地址： | 中国台湾桃园市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接合 电子元件 方法 | ||
1.一种接合电子元件的方法，其特征在于，包含以下操作：
提供线路基板，所述线路基板具有顶表面及与所述顶表面相对的底表面，所述线路基板包含凹穴，其由所述底表面朝所述顶表面的方向凹陷，其中所述线路基板具有厚度；
在封装平台上形成第一缓冲层，所述第一缓冲层的厚度大于所述线路基板的所述厚度，其中所述第一缓冲层的杨氏模量为0.01GPa至6GPa；
在治具上形成第二缓冲层，所述第二缓冲层的厚度大于所述线路基板的所述厚度，其中所述第二缓冲层的杨氏模量为0.01GPa至6GPa；
在所述封装平台与所述治具之间放置所述线路基板，其中所述底表面接触所述第一缓冲层，所述治具固定所述线路基板的所述顶表面的外围部分，且所述顶表面的所述外围部分接触所述第二缓冲层；以及
将电子元件配置于所述线路基板的所述顶表面上。
2.如权利要求1所述的接合电子元件的方法，其特征在于，所述凹穴的深度为所述线路基板的所述厚度的20％至90％。
3.如权利要求1所述的接合电子元件的方法，其特征在于，在放置所述线路基板于所述封装平台与所述治具之间的操作之后，还包含由所述治具提供下压力使所述线路基板的所述凹穴没入所述第一缓冲层中。
4.如权利要求1所述的接合电子元件的方法，其特征在于，所述第一缓冲层包含合成橡胶、热塑性弹性体或人造纤维。
5.如权利要求4所述的接合电子元件的方法，其特征在于，所述合成橡胶包含氟橡胶及氟硅橡胶。
6.如权利要求4所述的接合电子元件的方法，其特征在于，所述热塑性弹性体包含聚酰胺系弹性体及聚酯系弹性体。
7.如权利要求4所述的接合电子元件的方法，其特征在于，所述人造纤维包含陶瓷纤维棉及玻璃纤维棉。
8.如权利要求1所述的接合电子元件的方法，其特征在于，形成所述第一缓冲层于所述封装平台上的操作是借由粘着、涂布、印刷或喷涂进行。
9.如权利要求1所述的接合电子元件的方法，其特征在于，所述线路基板包含：
绝缘基板，其具有上表面以及与所述上表面相对的下表面；
第一线路层，其设置于所述绝缘基板的所述上表面；
第二线路层，其设置于所述绝缘基板的所述下表面；
第一保护层，其设置于所述绝缘基板的所述上表面且覆盖所述第一线路层的一部分；以及
第二保护层，其设置于所述绝缘基板的所述下表面且覆盖所述第二线路层的一部分。
10.如权利要求9所述的接合电子元件的方法，其特征在于，在封装所述电子元件的步骤中，所述电子元件接触所述第一线路层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
