[发明专利]接合电子元件的方法有效
申请号: | 201810695129.7 | 申请日: | 2018-06-29 |
公开(公告)号: | CN110660679B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 曾晨威;李宗桦;李少谦 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/52 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁 |
地址: | 中国台湾桃园市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 电子元件 方法 | ||
本发明公开了一种接合电子元件的方法,包含以下操作:提供线路基板,其具有顶表面及与顶表面相对的底表面,线路基板包含凹穴,其由底表面朝顶表面的方向凹陷,其中线路基板具有厚度。在封装平台上形成第一缓冲层,且第一缓冲层的厚度大于线路基板的厚度。在治具上形成第二缓冲层,且第二缓冲层的厚度大于线路基板的厚度。在封装平台与治具之间放置线路基板,其中底表面接触第一缓冲层,治具固定线路基板的顶表面的外围部分,且顶表面的外围部分接触第二缓冲层。将电子元件配置于线路基板的顶表面上。借此,本发明的接合电子元件的方法,可以改善在封装电子元件时所产生如空焊等的失效模式。
技术领域
本发明是有关于一种接合电子元件的方法,特别是关于一种将电子元件接合至基材的方法。
背景技术
覆晶接合技术(Flip Chip Bonding Technology,简称FC)是一种将电子元件连接至承载板(carrier)的封装技术,其主要是利用面阵列(area array)的方式,将多个焊接垫(pad)配置于电子元件的主动表面(active surface)上,并在焊接垫上形成凸块(bump)或焊料球(solder ball),接着将电子元件翻覆(flip)之后,再通过这些凸块或焊料球使电子元件表面的焊接垫分别电性(electrically)及结构性(structurally)连接至承载板上的接点(contact),使得电子元件可经由凸块或焊料球而电性连接至承载板,再经由承载板的内部线路而电性连接至外界的电子装置。
承载板(例如,线路基板)通常包含线路、凹穴、防焊层或通孔等结构,使得线路基板表面呈现高低起伏状,其中又以凹穴结构造成的表面高低起伏最为显著。一般而言,凹穴结构为利用激光或机械钻孔等方式移除部分线路基板。当凹穴结构深度超过线路基板厚度的20%时,不但会降低线路基板的平整度外,还会降低线路基板的结构强度。除前述的结构外,造成线路基板表面呈现不平整状的原因尚有工艺公差等因素。在后续封装电子元件装工艺中,若线路基板的平整度太差,常会发生空焊(free welding)等失效模式,进而影响产品良率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种接合电子元件的方法,此方法可以改善结构强度不足或表面不平整的线路基板在封装电子元件时所产生如空焊等的失效模式。
上述接合电子元件的方法包含以下操作:提供线路基板,其具有顶表面及与顶表面相对的底表面,线路基板包含凹穴,其由底表面朝顶表面的方向凹陷,其中线路基板具有厚度;在封装平台上形成第一缓冲层,且第一缓冲层的厚度大于线路基板的厚度;在治具上形成第二缓冲层,且第二缓冲层的厚度大于线路基板的厚度;接着,在封装平台与治具之间放置线路基板,其中底表面接触第一缓冲层,治具固定线路基板的顶表面的外围部分,且顶表面的外围部分接触第二缓冲层;然后,封装电子元件于线路基板的顶表面上。
根据本发明一实施方式,凹穴的深度为线路基板的厚度的20%至90%。
根据本发明一实施方式,在放置线路基板于封装平台与治具之间的操作之后,还包含由治具提供一下压力使线路基板的凹穴没入第一缓冲层中。
根据本发明一实施方式,第一缓冲层及第二缓冲层的杨氏模量为0.01GPa至6GPa。
根据本发明一实施方式,第一缓冲层包含合成橡胶、热塑性弹性体或人造纤维。
根据本发明一实施方式,合成橡胶包含氟橡胶及氟硅橡胶。
根据本发明一实施方式,热塑性弹性体包含聚酰胺系(TPE-E)弹性体及聚酯系(TBE-A)弹性体。
根据本发明一实施方式,人造纤维包含陶瓷纤维棉及玻璃纤维棉。
根据本发明一实施方式,形成第一缓冲层于封装平台上的操作是借由粘着、涂布、印刷或喷涂进行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造