[发明专利]发光二极管封装件在审
| 申请号： | 201810698176.7 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN108511580A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 金赫骏;李亨根 | 申请（专利权）人： | 首尔半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 李盛泉;孙昌浩 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 引线部件 发光二极管封装件 反射面 引线框架 上表面 反射 发光二极管芯片 外壳内侧壁 发光效率 延伸 隔开 贴装 支撑 | ||
1.一种发光二极管封装件，其特征在于，包括：
引线框架，包括相互隔开的第1引线部件及第2引线部件；
外壳，支撑所述引线框架，并使所述第1引线部件及第2引线部件中的任意一个以上的上表面一部分露出；及
发光二极管芯片，贴装于所述外壳的露出区域，
所述外壳包括：形成于上端的上端面；第1反射面，从所述外壳的外侧上端向内侧方向向下倾斜地形成；第2反射面，从所述第1反射面倾斜地延伸至所露出的第1引线部件及第2引线部件中的任意一个的上表面，
在所述上端面和所述第一反射面之间形成阶梯差。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其特征在于，
所述第2反射面的倾斜角度大于所述第1反射面的倾斜角度。
3.根据权利要求2所述的发光二极管封装件，其特征在于，
所述第2反射面的高度低于所述发光二极管芯片的高度。
4.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其特征在于，
所述发光二极管芯片包括：
n型半导体层；
p型半导体层；及
介于所述n型半导体层及p型半导体层之间的活性层，
所述第2反射面的高度低于所述活性层的高度。
5.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其特征在于，
所述外壳的上端面中，所述壳体的侧面侧的宽度和拐角侧的宽度彼此不同。
6.一种发光二极管封装件，其特征在于，包括
引线框架，包括相互隔开的第1引线部件及第2引线部件；
外壳，支撑所述引线框架，并使所述第1引线部件及第2引线部件中的任意一个以上的上表面一部分露出；及
发光二极管芯片，贴装于所述外壳的露出区域，
并且包括：第1反射面，从所述外壳的外侧上端向内侧方向向下倾斜地形成；第2反射面，从所述第1反射面倾斜地延伸至所露出的第1引线部件及第2引线部件中的任意一个的上表面，
所述第2反射面的高度低于所述发光二极管芯片的高度。
7.根据权利要求6所述的发光二极管封装件，其特征在于，
所述第2反射面的倾斜角度大于所述第1反射面的倾斜角度。
8.根据权利要求6所述的发光二极管封装件，其特征在于，
所述第2反射面的高度为50μm至300μm。
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