[发明专利]一种配合纠错磁性随机存储器使用的缓存系统

权利要求书

1.一种磁性随机存储器，其特征在于，包括MRAM存储模块、错误检测和矫正电路、控制电路、缓存，所述控制电路接受读写操作指令并控制所述错误检测和矫正电路与所述缓存；

读写数据时，所述控制电路首先检测该数据是否在所述缓存中：若该数据已在所述缓存中，则直接对所述缓存中的该数据进行操作；若该数据不在所述缓存中，则所述控制电路将所述MRAM存储模块中已存有的数据读出并经过所述错误检测和校正电路处理后写入所述缓存并返回给外部电路；

N个比特的主体码经所述错误检测和矫正电路处理后产生K个比特的纠错码，所述N个比特的主体码称为长字，包含在所述长字内且比N个比特短的字称为短字；

若要写的数据为长字，所述控制电路将该数据写入所述缓存中并经过所述错误检测和校正电路处理后写入所述MRAM存储模块；

若要写的数据为短字，所述控制电路将所述MRAM存储模块中已存有的数据读出并经过所述错误检测和矫正电路处理，再把要写入的数据与所述已存有的数据合并成新数据，然后由所述错误检测和矫正电路处理产生新校验位，将所述新数据和所述新校验位一并写入所述MRAM存储模块。

2.根据权利要求1所述一种磁性随机存储器，其特征在于，外部读所述长字时，所述长字经过所述错误检测和矫正电路处理后存储在所述缓存中并返回给外部电路。

3.根据权利要求1所述一种磁性随机存储器，其特征在于，外部读所述短字时，将包含所述短字的长字的全部N个比特的主体码读出，再经过所述错误检测和矫正电路处理，然后将处理结果保留在所述缓存中并返回给外部电路。

4.根据权利要求1所述一种磁性随机存储器，其特征在于，所述错误检测和矫正电路采用BCH或其他编码方法。

5.根据权利要求1所述一种磁性随机存储器，其特征在于，所述缓存的容量能够存储至少一个所述长字。

6.根据权利要求1所述一种磁性随机存储器，其特征在于，所述控制电路为中央处理器、单片机或者专用电路。

7.根据权利要求6所述一种磁性随机存储器，其特征在于，所述缓存集成在所述中央处理器或者所述单片机内。