[发明专利]一种具有ZrN层的低辐射玻璃有效
申请号: | 201810701264.8 | 申请日: | 2018-06-29 |
公开(公告)号: | CN108793768B | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 黄倩 | 申请(专利权)人: | 广东新华强玻璃科技有限公司 |
主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36 |
代理公司: | 杭州知管通专利代理事务所(普通合伙) 33288 | 代理人: | 黄华 |
地址: | 528000 广东省佛山市南海区丹灶镇南海国家生态工业*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 zrn 辐射 玻璃 | ||
1.一种具有ZrN层的低辐射玻璃,其特征在于:所述低辐射玻璃是由如下方法制备的:
在玻璃基底上,沉积底层电介质层;
在所述底层电介质层上,沉积第一隔离层;
在所述第一隔离层上,沉积第一ZrN层;
在所述第一ZrN层上,沉积第一Ag层;
在所述第一Ag层上,沉积第一Cu层;
在所述第一Cu层上,沉积第一Pd层;
在所述第一Pd层上,沉积第二ZrN层;
在所述第二ZrN层上,沉积第二隔离层;
在所述第二隔离层上,沉积顶层保护层;
所述底层电介质层是二氧化钛层,所述底层电介质层的厚度为30-40nm,所述第一隔离层是金属钛层,所述第一隔离层的厚度为20-30nm。
2.如权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于:所述第二隔离层是NiCr层,所述第二隔离层的厚度为30-40nm,所述顶层保护层是Si3N4层,所述顶层保护层的厚度为20-30nm。
3.如权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于:在所述第一隔离层上沉积第一ZrN层具体为:采用射频溅射方法,靶材为金属锆,氮气流量为50-60sccm,溅射功率为700-900W,基片温度为200-300℃,所述第一ZrN层厚度为8-12nm。
4.如权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于:在所述第一ZrN层上沉积第一Ag层具体为:采用射频溅射方法,靶材为金属Ag,氮气流量为10-20sccm,溅射功率为200-300W,基片温度为300-350℃,所述第一Ag层厚度为4-8nm。
5.如权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于:在所述第一Ag层上沉积第一Cu层具体为:采用射频溅射方法,靶材为金属Cu,氮气流量为10-20sccm,溅射功率为300-400W,基片温度为150-200℃,所述第一Cu层厚度为4-6nm。
6.如权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于:在所述第一Cu层上沉积第一Pd层具体为:采用射频溅射方法,靶材为金属Pd,氮气流量为10-20sccm,溅射功率为300-400W,基片温度为200-250℃,所述第一Pd层厚度为2-4nm。
7.如权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于:在所述第一Pd层上沉积第二ZrN层具体为:采用射频溅射方法,靶材为金属Zr,氮气流量为80-90sccm,溅射功率为900-1000W,基片温度为300-350℃,所述第二ZrN层厚度为4-6nm。
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