[发明专利]一种具有ZrN层的低辐射玻璃

说明书

本发明提供了一种具有ZrN层的低辐射玻璃，低辐射玻璃是由如下方法制备的：在玻璃基底上，沉积底层电介质层；在底层电介质层上，沉积第一隔离层；在第一隔离层上，沉积第一ZrN层；在第一ZrN层上，沉积第一Ag层；在第一Ag层上，沉积第一Cu层；在第一Cu层上，沉积第一Pd层；在第一Pd层上，沉积第二ZrN层；在第二ZrN层上，沉积第二隔离层；在第二隔离层上，沉积顶层保护层。本发明针对现有技术的问题，提出了一种带有ZrN层的低辐射玻璃，本发明由于加入了ZrN层，大大提高了材料的低辐射特性，同时由于本发明加入了Cu和Pd层，并特别设计了各层之间的层顺序，使得本发明的低辐射玻璃能够呈现金色外观。

技术领域

本发明涉及低辐射玻璃领域，特别涉及一种具有ZrN层的低辐射玻璃。

背景技术

目前，建筑能耗的50％是通过窗户散失的，因此减少玻璃窗的热损失对建筑节能具有非常重要的意义。目前国内节能型玻璃窗主要有以下几种：中空玻璃，热反射镀膜玻璃，低辐射镀膜中空玻璃等，其中低辐射镀膜玻璃既有良好的透光性，又能有效的阻挡红外热辐射，其U值(热传导系数)为1.3-1.8W/m²K，是普通玻璃的四分之一，其保温隔热能力远远超过普通墙体。因此低辐射镀膜玻璃是世界上公认的理想的节能型窗玻璃材料。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的目的在于提供，从而克服现有技术的缺点。

为实现上述目的，本发明提供了一种具有ZrN层的低辐射玻璃，其特征在于：低辐射玻璃是由如下方法制备的：在玻璃基底上，沉积底层电介质层；在底层电介质层上，沉积第一隔离层；在第一隔离层上，沉积第一ZrN层；在第一ZrN层上，沉积第一Ag层；在第一Ag层上，沉积第一Cu层；在第一Cu层上，沉积第一Pd层；在第一Pd层上，沉积第二ZrN层；在第二ZrN层上，沉积第二隔离层；在第二隔离层上，沉积顶层保护层。

优选地，上述技术方案中，底层电介质层是二氧化钛层，底层电介质层的厚度为30-40nm，第一隔离层是金属钛层，第一隔离层的厚度为20-30nm。

优选地，上述技术方案中，第二隔离层是NiCr层，第二隔离层的厚度为30-40nm，顶层保护层是Si₃N₄层，顶层保护层的厚度为20-30nm。

优选地，上述技术方案中，在第一隔离层上沉积第一ZrN层具体为：采用射频溅射方法，靶材为金属锆，氮气流量为50-60sccm，溅射功率为700-900W，基片温度为200-300℃，第一ZrN层厚度为8-12nm。

优选地，上述技术方案中，在第一ZrN层上沉积第一Ag层具体为：采用射频溅射方法，靶材为金属Ag，氮气流量为10-20sccm，溅射功率为200-300W，基片温度为300-350℃，第一Ag层厚度为4-8nm。

优选地，上述技术方案中，在第一Ag层上沉积第一Cu层具体为：采用射频溅射方法，靶材为金属Cu，氮气流量为10-20sccm，溅射功率为300-400W，基片温度为150-200℃，第一Cu层厚度为4-6nm。

优选地，上述技术方案中，在第一Cu层上沉积第一Pd层具体为：采用射频溅射方法，靶材为金属Pd，氮气流量为10-20sccm，溅射功率为300-400W，基片温度为200-250℃，第一Pd层厚度为2-4nm。

优选地，上述技术方案中，在第一Pd层上沉积第二ZrN层具体为：采用射频溅射方法，靶材为金属Zr，氮气流量为80-90sccm，溅射功率为900-1000W，基片温度为300-350℃，第二ZrN层厚度为4-6nm。