[发明专利]封装结构、电子装置及封装方法

权利要求书

1.一种封装结构，包括：

第一无机层；

有机层，与所述第一无机层堆叠设置；以及

第一化学交联层，位于所述第一无机层与所述有机层之间，且与所述第一无机层和所述有机层接触；

其中，所述第一化学交联层包括具有两亲基团的交联材料，所述两亲基团包括亲无机官能团和亲有机官能团，所述亲无机官能团与所述第一无机层通过第一化学键结合，并且所述亲有机官能团与所述有机层通过第二化学键结合。

2.根据权利要求1所述的封装结构，还包括第二无机层和第二化学交联层；

所述第二无机层位于所述有机层的远离所述第一无机层的一侧；

所述第二化学交联层位于所述有机层和所述第二无机层之间，且与所述有机层和所述第二无机层接触；

其中，所述第二化学交联层包括具有所述两亲基团的所述交联材料，所述两亲基团的所述亲无机官能团与所述第二无机层通过所述第一化学键结合，并且所述两亲基团的所述亲有机官能团与所述有机层通过所述第二化学键结合。

3.根据权利要求1所述的封装结构，包括堆叠设置的多个封装单元，所述多个封装单元中的每个包括所述第一无机层、所述第一化学交联层和所述有机层。

4.根据权利要求1-3任一所述的封装结构，其中，具有所述两亲基团的所述交联材料包括硅烷偶联剂，所述亲无机官能团为SiX-，所述亲有机官能团为R-；并且

所述SiX-中的X-包括卤素、烷氧基、酰氧基中的至少之一，所述R-包括氧基、巯基、乙烯基、环氧基、酰胺基、氨丙基中的至少之一。

5.根据权利要求1-3任一所述的封装结构，其中，在所述第一无机层与所述第一化学交联层之间的界面处以及在所述有机层与所述第一化学交联层之间的界面处具有网状结构。

6.根据权利要求4所述的封装结构，其中，

所述硅烷偶联剂为3-氨丙基三乙氧基硅烷或3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷；

所述无机层的材料为氧化硅或氮化硅或氮氧化硅；并且

所述有机层的材料为环氧树脂或丙烯酸树脂。

7.根据权利要求1-3任一所述的封装结构，其中，所述第一化学键、所述第二化学键均为共价键。

8.一种电子装置，包括权利要求1-7任一所述的封装结构和功能器件，其中，

所述封装结构覆盖所述功能器件；并且

相比于所述有机层，所述第一无机层设置得更靠近所述功能器件。

9.一种封装方法，包括：

形成第一无机层；

形成与所述第一无机层堆叠设置的有机层；以及

形成第一化学交联层，其中，所述第一化学交联层位于所述第一无机层与所述有机层之间，且与所述第一无机层和所述有机层接触；

其中，所述第一化学交联层由包括两亲基团的交联材料形成，所述两亲基团包括亲无机的官能团和亲有机的官能团，所述亲无机的官能团与所述第一无机层通过第一化学键结合，所述亲有机的官能团与所述有机层通过第二化学键结合。

10.根据权利要求9所述的封装方法，包括：

形成第一无机材料层，所述第一无机材料层的表面上具有羟基；

采用包括所述两亲基团的交联材料在所述第一无机材料层上形成第一交联材料层，所述第一交联材料层与所述第一无机材料层的所述表面接触；并且

在所述第一交联材料层上形成有机材料层，所述有机材料层与所述第一交联材料层接触，其中，

所述第一交联材料层中的亲无机官能团与所述第一无机材料层的所述表面上的羟基发生反应生成所述第一化学键，所述第一交联材料层中的亲有机官能团与所述有机材料层发生反应生成所述第二化学键，以形成所述第一无机层、所述第一化学交联层和所述有机层。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在形成有机材料层之前，对所述第一交联材料层进行固化处理。